[發(fā)明專利]電路和用于操作電路的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510325102.5
• 申請日: 2015-06-12
• 公開（公告）號: CN105306029B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設計）人: F·希爾勒;A·毛德;J·巴倫舍恩
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于功率級的電路，包括：

晶體管，其中電壓跨所述晶體管的兩個受控端子兩端耦合；

檢測電路，所述檢測電路被耦合到所述晶體管的控制端子，其中所述檢測電路被配置為檢測下列至少一個：

由于跨所述兩個受控端子兩端耦合的所述電壓引起的信號；

由于跨所述兩個受控端子兩端耦合的所述電壓的變化引起的信號；以及

由于跨所述兩個受控端子兩端耦合的所述電壓的變化在所述控制端子處引起的信號的變化；

并且其中所述檢測電路被配置為當所述晶體管處于非導通狀態(tài)時，通過監(jiān)視所述晶體管的控制端子來檢測所述電壓的變化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述信號是通過所述控制端子流動的電流；以及

所述檢測電路包括驅(qū)動器電路，所述驅(qū)動器電路被配置為進行下列至少一個：

提供；以及

調(diào)節(jié)

在所述控制端子和所述受控端子中的一個受控端子之間的電壓到恒定值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中

所述檢測電路包括估計電路，所述估計電路被配置為檢測下列至少一個：

所述信號和所述信號的所述變化中的至少一個超過或降至低于閾值；以及

所述信號和所述信號的所述變化中的至少一個在極性上變化。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中

所述檢測電路進一步包括驅(qū)動器控制器，所述驅(qū)動器控制器被配置為給所述驅(qū)動器電路提供信號以將所述晶體管置于導通狀態(tài)和非導通狀態(tài)中的一個。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，所述檢測電路包括估計電路，所述估計電路被配置為檢測下列至少一個：

所述信號和所述信號的所述變化中的至少一個超過或降至低于閾值；以及

所述信號和所述信號的所述變化中的至少一個在極性上變化，

其中所述驅(qū)動器控制器提供信號給所述驅(qū)動器電路，以在所述信號的變化已經(jīng)被所述估計電路檢測到并經(jīng)過預定時間間隔之后，在預定持續(xù)時間內(nèi)將所述晶體管置于導通狀態(tài)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中

施加到所述受控端子的所述電壓是周期性的；并且

所述預定時間間隔和所述預定持續(xù)時間總共的持續(xù)時間小于所述電壓的周期。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中

所述晶體管是下列中的一個：

金屬氧化物半導體場效應晶體管；

場板溝晶體管；以及

超結(jié)晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中

所述晶體管的柵極-漏極電容器的電容在跨所述兩個受控端子兩端耦合的0V電壓處至少比所述晶體管的額定擊穿電壓處大20倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中

所述晶體管的柵極-漏極電容器的電容取決于跨所述受控端子兩端的所述電壓乘以倍數(shù)，所述倍數(shù)對于低于角電壓的電壓比對于高于角電壓的電壓大兩到三個數(shù)量級。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，進一步包括：

多個晶體管，其中

所述多個晶體管中的晶體管的漏極和所述晶體管的漏極耦合在一起；

所述多個晶體管中的晶體管的源極和所述晶體管的源極耦合在一起；

所述多個晶體管中的晶體管的柵極耦合在一起；以及

所述晶體管的柵極沒有連接到所述多個晶體管的所述晶體管的所述柵極。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，進一步包括：

啟動電路；其中

所述晶體管被配置為啟用和停用所述啟動電路。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，進一步包括：

所述功率級；其中

所述晶體管是所述功率級的開關(guān)晶體管。