[發(fā)明專利]離型膜及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510324709.1
• 申請(qǐng)日: 2015-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN105037773B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張國(guó)臻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 張家港康得新光電材料有限公司
• 主分類號(hào): C08J7/04
• 分類號(hào): C08J7/04;C09D183/07;C08G77/20;C08L67/02
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 趙囡囡;吳貴明

1.一種離型膜，其特征在于，所述離型膜包括由下往上依次層疊設(shè)置的基材原膜、中間層和離型層，其中，所述中間層為包含環(huán)氧基和不飽和官能基團(tuán)的樹脂涂層；并且

所述中間層為由第一硅烷和第二硅烷在酸性環(huán)境下反應(yīng)形成的樹脂涂層，其中，所述第一硅烷為環(huán)氧基硅烷或環(huán)氧基氟硅烷，所述第二硅烷為不飽和官能基硅烷或不飽和官能基氟硅烷；其中：

所述中間層的厚度為1～小于50納米，并且

所述離型層的厚度為1～30納米。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述中間層還包含羥基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述中間層為含硅或含氟的樹脂涂層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述第一硅烷的結(jié)構(gòu)式如式Ⅰ所示，并且所述第二硅烷的結(jié)構(gòu)式如式Ⅱ所示，其中，

式Ⅰ為

式Ⅱ?yàn)榍襪、n均為大或于等于1的整數(shù)，R₁、R₂和R₃獨(dú)立地選自H、C1-C8的烷基或者C1-C8的烷基的氟代烷基；R₄選自H、C1-C20的烷基或者氟代烷基、C1-C20的酯基或者氟代酯基、C1-C20的醚基或者氟代醚基；R₅和R₆獨(dú)立地選自CH₂或CF₂；R₇選自C1-C20的烷基或者氟代烷基、C1-C20的酯基或者氟代酯基、C1-C20的醚基或者氟代醚基。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述環(huán)氧基硅烷選自環(huán)氧基-甲氧基硅烷、環(huán)氧基-乙氧基硅烷或環(huán)氧基-丙氧基硅烷；所述不飽和官能基硅烷選自不飽和官能基-甲氧基硅烷、不飽和官能基-乙氧基硅烷或不飽和官能基-丙氧基硅烷；所述環(huán)氧基氟硅烷選自環(huán)氧基-甲氧基氟硅烷、環(huán)氧基-乙氧基氟硅烷或環(huán)氧基-丙氧基氟硅烷；所述不飽和官能基氟硅烷選自不飽和官能基-甲氧基氟硅烷、不飽和官能基-乙氧基氟硅烷或不飽和官能基-丙氧基氟硅烷。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述中間層為由20％～75％wt的所述第一硅烷、20％～75％wt的所述第二硅烷和1％～20％wt的鹽酸溶液反應(yīng)形成的樹脂涂層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述中間層為由20％～70％wt的所述第一硅烷、20％～75％wt的所述第二硅烷和1％～20％wt的鹽酸溶液反應(yīng)形成的樹脂涂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述中間層為由20％～70％wt的所述第一硅烷、20％～70％wt的所述第二硅烷和1％～20％wt的鹽酸溶液反應(yīng)形成的樹脂涂層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述中間層為由20％～70％wt的所述第一硅烷、20％～75％wt的所述第二硅烷和1％～15％wt的鹽酸溶液反應(yīng)形成的樹脂涂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述中間層為由20％～70％wt的所述第一硅烷、20％～70％wt的所述第二硅烷和1％～15％wt的鹽酸溶液反應(yīng)形成的樹脂涂層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述離型層為含有所述不飽和官能基團(tuán)的離型涂層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述離型層為含硅的離型涂層或者含氟的離型涂層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述中間層的厚度為1～20納米。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其特征在于，所述基材原膜的厚度小于或等于500微米。