[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510324123.5 | 申請日: | 2015-06-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104900684B | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許名宏 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262 | 代理人: | 林桐苒,李丹 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
多個(gè)發(fā)光區(qū)域,其中,每個(gè)發(fā)光區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中設(shè)置有底電極和頂電極,且所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域共用同一底電極,共用同一頂電極,
在同一發(fā)光區(qū)域的所述底電極和所述頂電極之間,所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中分別設(shè)置有相同材料的發(fā)光層,
在所述第一區(qū)域的發(fā)光層和所述底電極之間,以及所述第二區(qū)域的發(fā)光層和所述底電極之間分別設(shè)置有光電特性調(diào)整層,所述第一區(qū)域中的光電特性調(diào)整層與所述第二區(qū)域中的光電特性調(diào)整層不相同,所述第一區(qū)域的光電特性調(diào)整層和所述第二區(qū)域的光電特性調(diào)整層為以不同材料、不同工藝制成的透明半導(dǎo)體薄膜,使所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的開啟電壓不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一區(qū)域包括至少一個(gè)第一子區(qū)域,所述第二區(qū)域包括至少一個(gè)第二子區(qū)域,所述至少一個(gè)第一子區(qū)域與所述至少一個(gè)第二子區(qū)域間隔分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一區(qū)域包括N個(gè)環(huán)形第一子區(qū)域,所述第二區(qū)域包括N-1個(gè)環(huán)形第二子區(qū)域以及一個(gè)圓形第二子區(qū)域,其中,N為正整數(shù),
其中,所述N個(gè)環(huán)形第一子區(qū)域和所述N-1個(gè)環(huán)形第二子區(qū)域逐層套設(shè)在所述圓形第二子區(qū)域之外,且所述N個(gè)環(huán)形第一子區(qū)域和所述N-1個(gè)環(huán)形第二子區(qū)域間隔設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子區(qū)域和所述第二子區(qū)域的發(fā)光層靠近底電極的一側(cè)分別設(shè)置有空穴注入層,
其中,所述圓形第二子區(qū)域中的空穴注入層與所述第二區(qū)域的底電極相接觸,所述環(huán)形第一子區(qū)域中的空穴注入層以及所述環(huán)形第二子區(qū)域中的空穴注入層與相應(yīng)的光電特性調(diào)整層相接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子區(qū)域中的空穴注入層和所述第二子區(qū)域中的空穴注入層為一體結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,所述發(fā)光區(qū)域?yàn)橄袼兀龅谝粎^(qū)域的發(fā)光層和所述第二區(qū)域的發(fā)光層分別包括多個(gè)串聯(lián)的子發(fā)光層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,所述發(fā)光區(qū)域?yàn)樽酉袼兀鲎酉袼匕t色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素和白色子像素,
所述顯示基板包括多個(gè)像素,其中,每個(gè)像素包括所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述藍(lán)色子像素和所述白色子像素。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,所述發(fā)光區(qū)域?yàn)樽酉袼兀鲎酉袼貫榘咨酉袼兀?!-- SIPO
所述顯示基板包括多個(gè)像素,其中,每個(gè)像素包括紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素和所述白色子像素。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間設(shè)置有像素定義層,用于界定所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,每個(gè)所述光電特性調(diào)整層的厚度不相等。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,所述第一區(qū)域中的光電特性調(diào)整層比所述第二區(qū)域中的光電特性調(diào)整層厚25nm至40nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,所述第一區(qū)域的開口率和所述第二區(qū)域的開口率之比,與所述第一區(qū)域的開啟電壓和第二區(qū)域的開啟電壓之差相對(duì)應(yīng)。
13.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的顯示基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





