[發(fā)明專利]高壓倒裝LED芯片及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510323808.8
• 申請(qǐng)日: 2015-06-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104993031B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐慧文;張宇;李起鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 吳圳添,吳敏

1.一種高壓倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有兩個(gè)以上的芯片單元區(qū)域；

在所述襯底上沉積外延疊層，所述外延疊層包括第一半導(dǎo)體層、量子阱層和第二半導(dǎo)體層；

刻蝕所述外延疊層，直至在每個(gè)所述芯片單元區(qū)域形成至少一個(gè)第一溝槽，所述第一溝槽底部暴露所述第一半導(dǎo)體層，每個(gè)所述芯片單元區(qū)域剩余的所述外延疊層保留為Mesa平臺(tái)；

在所述Mesa平臺(tái)上形成第一電極，相鄰所述芯片單元區(qū)域的所述第一電極之間具有第二溝槽；

形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述Mesa平臺(tái)和第一電極，同時(shí)所述第一絕緣層填充所述第二溝槽并部分填充所述第一溝槽，剩余所述第一溝槽保留為第三溝槽；

刻蝕所述第一絕緣層，直至形成暴露所述第一電極表面的至少一個(gè)第四溝槽；

形成互聯(lián)電極，所述互聯(lián)電極填充所述第三溝槽和第四溝槽，相鄰所述互聯(lián)電極之間具有第五溝槽，相鄰所述芯片單元區(qū)域之間，所述互聯(lián)電極串聯(lián)其中一個(gè)所述芯片單元區(qū)域的所述第一電極和另一個(gè)所述芯片單元區(qū)域的所述第一半導(dǎo)體層；

設(shè)置位于第一側(cè)邊的所述互聯(lián)電極電連接位于第一側(cè)邊的所述第一半導(dǎo)體層，或者設(shè)置位于第二側(cè)邊的所述互聯(lián)電極電連接位于第二側(cè)邊的所述第一半導(dǎo)體層；

還包括：

形成第二絕緣層覆蓋所述互聯(lián)電極并填充所述第五溝槽；

在所述第二絕緣層形成第六溝槽，所述第六溝槽暴露其中一個(gè)所述互聯(lián)電極，所述第六溝槽暴露位于第一側(cè)邊的所述互聯(lián)電極，或者暴露位于第二側(cè)邊的所述互聯(lián)電極；

形成第二電極，所述第二電極覆蓋所述第二絕緣層并填充所述第六溝槽；

在所述第二電極上形成導(dǎo)電基板；

將所述外延疊層與所述襯底分離以暴露所述第一半導(dǎo)體層的出光面；

刻蝕所述第一半導(dǎo)體層直至形成第七溝槽，位于不同所述芯片單元區(qū)域的所述第一半導(dǎo)體層、量子阱層和第二半導(dǎo)體層被所述第七溝槽絕緣分隔；

刻蝕所述第一半導(dǎo)體層直至形成第八溝槽；

當(dāng)所述第六溝槽暴露位于所述第一側(cè)邊的所述互聯(lián)電極，且位于所述第一側(cè)邊的所述互聯(lián)電極電連接位于所述第一側(cè)邊的所述第一半導(dǎo)體層時(shí)，所述第八溝槽暴露位于所述第二側(cè)邊的所述第一電極；

當(dāng)所述第六溝槽暴露位于所述第一側(cè)邊的所述互聯(lián)電極，且位于所述第一側(cè)邊的所述互聯(lián)電極電連接位于所述第一側(cè)邊的第一電極時(shí)，所述第八溝槽暴露位于所述第二側(cè)邊的所述互聯(lián)電極；

當(dāng)所述第六溝槽暴露位于所述第二側(cè)邊的所述互聯(lián)電極，且位于所述第二側(cè)邊的所述互聯(lián)電極電連接位于所述第二側(cè)邊的所述第一半導(dǎo)體層時(shí)，所述第八溝槽暴露位于所述第一側(cè)邊的所述第一電極；

當(dāng)所述第六溝槽暴露位于所述第二側(cè)邊的所述互聯(lián)電極，且位于所述第二側(cè)邊的所述互聯(lián)電極電連接位于所述第二側(cè)邊的第一電極時(shí)，所述第八溝槽暴露位于所述第一側(cè)邊的所述互聯(lián)電極。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，還包括：

當(dāng)所述第八溝槽暴露的是所述第一電極時(shí)，在所述第八溝槽暴露的所述第一電極表面形成外延電極；

當(dāng)所述第八溝槽暴露的是所述互聯(lián)電極時(shí)，在所述第八溝槽暴露的所述互聯(lián)電極表面形成外延電極。

3.如權(quán)利要求2所述的高壓倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成所述互聯(lián)電極時(shí)，同時(shí)形成填平電極；

當(dāng)所述外延電極位于所述第一側(cè)時(shí)，所述填平電極位于所述第二側(cè)的最外邊緣；

當(dāng)所述外延電極位于所述第二側(cè)時(shí)，所述填平電極位于所述第一側(cè)的最外邊緣。

4.如權(quán)利要求2所述的高壓倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，將所述襯底與所述外延疊層剝離包括：

采用化學(xué)方法或者激光方法將所述襯底與所述外延疊層剝離。

5.如權(quán)利要求2所述的高壓倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，還包括：

在暴露所述第一半導(dǎo)體層的出光面后，且在刻蝕所述第一半導(dǎo)體層的出光面前，對(duì)所述第一半導(dǎo)體層的出光面進(jìn)行清潔處理和表面粗糙處理的至少一種處理。

6.如權(quán)利要求2所述的高壓倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，所述互聯(lián)電極的材料為Ag、Al、Rh、Cr、Pt、Au、Ti和Ni的任意一種或多種。