[發明專利]射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件及其制作方法有效
| 申請號： | 201510320704.1 | 申請日： | 2015-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN106298927B | 公開（公告）日： | 2019-08-30 |
| 發明（設計）人： | 馬萬里;聞正鋒;趙文魁 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 婁冬梅;黃健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 射頻 橫向 擴散 金屬 氧化物 半導體器件 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
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