[發明專利]一種低密度覆膜陶粒的制備方法

在審

• 申請號: 201510320640.5
• 申請日: 2015-06-11
• 公開（公告）號: CN104974740A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 王峰;王毓才;李國欣;張應安;許建國;叢錫橋;段永偉;苗曉勇;朱兆鵬;郝春成;何定凱;劉光玉;龍增偉
• 申請（專利權）人: 中國石油天然氣股份有限公司
• 主分類號: C09K8/80
• 分類號: C09K8/80;C04B35/16;C04B41/83
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 馬苗苗

1.一種低密度覆膜陶粒的制備方法，其特征在于，包括：

將含硅礦物作為主要原料配入硅石粉、粘土粉、綠泥石粉，混和均勻后在制球鍋中成球，制得半成品；

將所述半成品在回轉窯或隧道窯中經煅燒，制得半成品低密度覆膜陶粒基體；

將所述半成品低密度覆膜陶粒基體通過樹脂覆膜生產線在經均勻涂裹樹脂覆膜，制得低密度覆膜陶粒成品。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅礦物，包括：

橄欖石粉，

硼泥，

綠泥石，中的一種或多種。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述的橄欖石粉、硼泥、綠泥石粉、硅石粉、粘土粉的目數在400目-800目之間。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述含硅礦物的質量百分比為20％～85％，所述硅石粉的質量百分比為5％-45％，所述粘土粉的質量百分比為2％-20％，所述綠泥石粉的質量百分比為15％-40％。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述將所述半成品在回轉窯或隧道窯中經煅燒制得半成品低密度覆膜陶粒基體，包括：

將所述半成品在1000℃-1300℃回轉窯或隧道窯中經煅燒3小時-8小時制得半成品低密度覆膜陶粒基體。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述將所述半成品低密度覆膜陶粒基體通過樹脂覆膜生產線在經均勻涂裹樹脂覆膜，制得低密度覆膜陶粒成品，包括：

將所述半成品低密度覆膜陶粒基體通過樹脂覆膜生產線在150℃-300℃下經均勻涂裹樹脂覆膜30分鐘-60分鐘，制得低密度覆膜陶粒成品。