[發明專利]MEMS器件校準

有效

• 申請號: 201510317079.5
• 申請日: 2015-06-10
• 公開（公告）號: CN105293422B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: 馬特吉·戈森斯;威廉·弗雷德里克·亞德里亞內斯·貝什林;皮特·杰勒德·斯蒂內肯;卡斯珀·范德阿奧斯特;雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮內伯格
• 申請（專利權）人: ams國際有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C99/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 唐文靜

1.一種MEMS器件，包括：

具有內部環境的空腔；

密封，所述密封將所述內部環境與所述MEMS器件外的外部環境相隔離，其中所述密封易于響應于校準解封能量而被損壞，并且，在所述密封損壞時，形成耦合所述內部環境與所述外部環境的通路；

校準電路，所述校準電路能夠在所述密封損壞之前以及在所述密封損壞之后測量所述內部環境；以及

通道，所述通道將所述空腔的拐角耦合到所述密封。

2.根據權利要求1所述的MEMS器件，還包括：

氣密密封的第二器件；以及

其中所述校準電路能夠響應于在所述密封損壞之前和在所述密封損壞之后測量所述內部環境而生成用于所述第二器件的校準值。

3.根據權利要求2所述的MEMS器件，

其中所述第二器件是壓力傳感器。

4.根據權利要求1所述的MEMS器件，

其中所述MEMS器件被嵌入在封裝中；以及

其中當在所述封裝內時，所述密封易于響應于所述校準解封能量而被損壞。

5.根據權利要求1所述的MEMS器件，

其中所述解封能量是以下各項組成的組中的至少一個：熱源和穿刺器。

6.根據權利要求5所述的MEMS器件，

其中所述熱源是以下各項組成的組中的至少一個：電流和激光。

7.根據權利要求1所述的MEMS器件，

其中所述密封是熔絲；以及

其中所述熔絲能夠響應于電流而損壞所述密封。

8.根據權利要求1所述的MEMS器件，

其中所述密封易于受到的損壞包括以下各項組成的組中的至少一項：破裂、裂口、斷裂、壓裂、龜裂、剝離、壓入、穿刺、鉆孔、蒸發、燒蝕和熔化。

9.根據權利要求1所述的MEMS器件，

其中所述密封包括熱隔離區域，所述熱隔離區域降低損壞所述密封所需的解封能量的功率。

10.根據權利要求1所述的器件，

其中所述密封包括具有每單位面積的功率耗散的區域，其降低損壞所述密封所需的解封能量的功率。

11.根據權利要求1所述的MEMS器件，

其中所述密封包括導線和隔離溝。

12.根據權利要求1所述的MEMS器件，

其中所述密封包括具有彎曲形狀的導線。

13.根據權利要求1所述的MEMS器件，

其中所述通道具有的寬度比空腔的寬度小一個數量級。

14.根據權利要求1所述的MEMS器件，

其中所述通道包括主通道和以下各項組成的組中的至少一個：閉塞的側通道和尖角。

15.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，

所述MEMS器件是壓力傳感器；

所述空腔被膜覆蓋；以及

所述密封是由與膜相同的材料形成的。

16.一種校準MEMS器件的方法，所述MEMS器件包括具有內部環境的空腔、將所述內部環境與所述MEMS器件外的外部環境相隔離的密封、以及將所述空腔的拐角耦合到所述密封的通道，所述方法包括：

在所述密封損壞之前測量所述MEMS器件內的內部環境的參數；

用校準解封能量損壞所述密封；

其中，當所述密封損壞時，形成耦合所述內部環境與所述外部環境的通路；

在所述密封損壞之后測量所述內部環境的參數；以及

基于所述測量來校準所述MEMS器件。

17.根據權利要求16所述的方法，

其中，所述MEMS器件包括氣密密封的第一器件和校準器件；以及

所述方法還包括：響應于在第二器件上的密封損壞之前和在第二器件上的密封損壞之后測量所述第二器件的內部環境，來校準所述第一器件。

18.根據權利要求16所述的方法，其中測量包括：

測量以下參數組成的組中的至少一個參數：空腔壓力、諧振頻率、品質因子、電容、電容-電壓響應、電容壓力響應和電容溫度響應。