[發明專利]一種C15H11NO2S非線性光學晶體及其制法和用途有效
| 申請號: | 201510314005.6 | 申請日: | 2015-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN104947195B | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發明(設計)人: | 張國春;張馨元;李寅;姚吉勇;吳以成 | 申請(專利權)人: | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號: | C30B29/54 | 分類號: | C30B29/54;C30B7/06;C30B7/08;G02F1/361 |
| 代理公司: | 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472 | 代理人: | 王宇楊;李彪 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 sub 15 11 no 非線性 光學 晶體 及其 制法 用途 | ||
1.一種C15H11NO2S非線性光學晶體,其不具有對稱中心,屬于單斜晶系,空間群為Pc,晶胞參數為:α=γ=90°,β=106.248°,Z=2,其化學結構如下:
2.一種權利要求1所述C15H11NO2S非線性光學晶體的生長方法,其采用自發結晶揮發法生長晶體,其步驟如下:
將C15H11NO2S化合物作為溶質完全溶于溶劑,再置于容器中,放置待溶劑揮發,得到C15H11NO2S非線性光學晶體;所述溶劑為二氯甲烷、乙腈、氯仿、乙醇、甲醇、1,2-二氯乙烷、丙酮、乙酸乙酯、乙醚、四氫呋喃、二甲基甲酰胺;或上述溶劑的混合溶劑;或上述溶劑與石油醚、正戊烷、己烷或甲苯混合的混合溶劑。
3.一種權利要求1所述的C15H11NO2S非線性光學晶體的生長方法,其采用自發結晶降溫法生長晶體,其步驟如下:
將C15H11NO2S化合物作為溶質,在35-50℃下,配制成飽和溶液,恒溫24小時,以0.5~2℃/天的速率降至室溫,得到C15H11NO2S非線性光學晶體;用于配制飽和溶液的溶劑為二氯甲烷、乙腈、氯仿、乙醇、甲醇、1,2-二氯乙烷、丙酮、乙酸乙酯、乙醚、四氫呋喃、二甲基甲酰胺;或上述溶劑的混合溶劑;或上述溶劑與石油醚、正戊烷、己烷或甲苯混合的混合溶劑。
4.一種權利要求1所述的C15H11NO2S非線性光學晶體的生長方法,其采用籽晶法生長晶體,其步驟如下:
將C15H11NO2S化合物作為溶質,在35-50℃下,配置成飽和溶液,恒溫24小時,引入籽晶,升溫至高于飽和溫度5℃,保溫2小時,以10℃/小時的降溫速率降至飽和溫度,保溫24小時,再以0.1~1℃/天的速率降溫之室溫,得到C15H11NO2S非線性光學晶體;用于配制飽和溶液的溶劑為二氯甲烷、乙腈、氯仿、乙醇、甲醇、1,2-二氯乙烷、丙酮、乙酸乙酯、乙醚、四氫呋喃、二甲基甲酰胺;或上述溶劑的混合溶劑;或上述溶劑與石油醚、正戊烷、己烷或甲苯混合的混合溶劑。
5.一種權利要求1所述的C15H11NO2S非線性光學晶體的用途,其特征在于,所述C17H13NO3非線性光學晶體用于制備非線性光學器件;所述非線性光學器件包含將至少一束入射電磁輻射通過至少一塊所述C15H11NO2S非線性光學晶體后產生至少一束頻率不同于入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。
6.按權利要求5所述的C15H11NO2S非線性光學晶體的用途,其特征在于,所述的裝置為太赫茲波發生器、二次諧波發生器、上頻率轉換器、下頻率轉換器或光參量振蕩器。
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