[發明專利]一種鍺層及半導體器件的制作方法有效
| 申請號： | 201510309045.1 | 申請日： | 2015-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN104867822B | 公開（公告）日： | 2017-09-29 |
| 發明（設計）人： | 趙波 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/203 | 分類號： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制作方法 | ||
1.一種鍺層的制作方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，并根據預制作的鍺層總厚度將鍺層的總沉積工藝分解成連續的多步鍺薄層沉積工藝；
按照每步鍺薄層沉積工藝的工藝參數，在所述襯底上依次物理氣相沉積各個鍺薄層，并在某步鍺薄層沉積后，對沉積所用的靶材表面進行氣體吹拂，其中，沉積形成的所有鍺薄層在所述襯底上的厚度之和為所述鍺層總厚度。
2.如權利要求1所述的鍺層的制作方法，其特征在于，在所述襯底上依次沉積各個鍺薄層的過程中，在每步鍺薄層沉積工藝后，均對沉積所用的靶材表面進行氣體吹拂。
3.如權利要求1所述的鍺層的制作方法，其特征在于，每步鍺薄層沉積工藝的工藝時間為30s～40s。
4.如權利要求1至3中任一項所述的鍺層的制作方法，其特征在于，所述氣體吹拂的工藝時間大于20s。
5.如權利要求4所述的鍺層的制作方法，其特征在于，所述氣體吹拂采用的氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣、氮氣和氫氣中的至少一種。
6.如權利要求1至3中任一項所述的鍺層的制作方法，其特征在于，所述氣體吹拂的工作壓力大于20mTorr。
7.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括權利要求1至6中任一項所述的鍺層的制作方法。
8.如權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供需鍵合的兩片晶圓；
采用權利要求1至6中任一項所述的鍺層的制作方法，在一片晶圓的表面上物理氣相沉積形成一定厚度的鍺層，刻蝕所述鍺層以形成帶有鍵合圖形的鍵合鍺層；
采用鋁濺射工藝在另一片晶圓上形成鋁層，刻蝕所述鋁層以形成帶有鍵合圖形的鍵合鋁層；
采用晶圓鍺鋁共熔鍵合工藝，將所述鍵合鍺層與所述鍵合鋁層對正并鍵合在一起，進而形成包含兩片晶圓的半導體器件。
9.如權利要求8所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，用于形成所述鍺層的晶圓為MEMS晶圓，用于形成所述鋁層的晶圓為ASIC晶圓。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
