[發明專利]多元合金成分的微凸點制備工藝有效
| 申請號: | 201510307291.3 | 申請日: | 2015-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN104900547B | 公開(公告)日: | 2017-08-11 |
| 發明(設計)人: | 何洪文;于大全;曹立強 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104 | 代理人: | 曹祖良,劉海 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多元 合金 成分 微凸點 制備 工藝 | ||
1.一種多元合金成分的微凸點制備工藝,其特征是,包括以下步驟:
(1)在晶圓(1)表面電鍍Ti/Cu種子層(2);
(2)在Ti/Cu種子層(2)的表面制作設定厚度的銅層(3);
(3)在玻璃晶圓(4)表面涂覆光刻膠(5);
(4)對光刻膠(5)進行開口工藝,得到開口(6);開口(6)由光刻膠(5)的上表面延伸至玻璃晶圓(4)的上表面;
(5)在開口(6)處對玻璃晶圓(4)進行刻蝕,形成凹槽(7);所形成的凹槽(7)與晶圓(1)上所需制備的微凸點的位置、大小一一對應;
(6)去除玻璃晶圓(4)上的光刻膠(5);
(7)將玻璃晶圓(4)與承載片(8)進行臨時鍵合,玻璃晶圓(4)的上表面與承載片(8)進行臨時鍵合;
(8)將玻璃晶圓(4)的背面進行減薄,減薄至凹槽(7)形成玻璃通孔(9);減薄后玻璃通孔(9)的深度與晶圓(1)上所需制備的微凸點的高度一致;
(9)將步驟(8)得到的具有玻璃通孔(9)的玻璃晶圓(4)放置于步驟(2)得到的銅層(3)上;
(10)將釬料填充于玻璃通孔(9)中;
(11)移除玻璃晶圓(4),回流形成凸點(10);
(12)將凸點(10)之間的銅層(3)和Ti/Cu種子層(2)刻蝕掉,形成銅柱凸點。
2.如權利要求1所述的多元合金成分的微凸點制備工藝,其特征是:所述Ti/Cu種子層(2)的厚度為100~300nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





