[發(fā)明專利]復(fù)合半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510306198.0
• 申請日: 2015-06-05
• 公開（公告）號: CN104900646B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚國亮;張邵華;吳建興
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8249;H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 張振軍

1.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

第一摻雜類型的半導(dǎo)體襯底；

第一摻雜類型的埋層，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

第二摻雜類型的外延層，位于所述半導(dǎo)體襯底上且覆蓋所述埋層，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反；

第二摻雜類型的高壓阱，位于所述外延層內(nèi)；

第二摻雜類型的深阱，位于所述高壓阱內(nèi)；

第一摻雜類型的第一阱，與所述高壓阱并列地位于所述外延層內(nèi)；

第二摻雜類型的源極歐姆接觸區(qū)，位于所述第一阱內(nèi)；

漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述深阱內(nèi)；

擠壓電阻歐姆接觸區(qū)，位于所述外延層內(nèi)；

靠近所述源極歐姆接觸區(qū)的柵極，至少覆蓋所述源極歐姆接觸區(qū)與所述高壓阱之間的外延層；

其中，所述源極歐姆接觸區(qū)、漏極歐姆接觸區(qū)和靠近所述源極歐姆接觸區(qū)的柵極形成晶體管的至少一部分，所述漏極歐姆接觸區(qū)和擠壓電阻歐姆接觸區(qū)形成擠壓電阻的至少一部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

第一摻雜類型的降場層，與所述漏極歐姆接觸區(qū)并列地位于所述高壓阱內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

場氧化層，至少覆蓋所述高壓阱的邊界和漏極歐姆接觸區(qū)之間的外延層；

靠近所述漏極歐姆接觸區(qū)的柵極，覆蓋所述場氧化層的一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

第一摻雜類型的隔離環(huán)，與所述高壓阱并列地位于所述外延層內(nèi)；

地電位接觸區(qū)，位于所述隔離環(huán)內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

體接觸區(qū)，與所述源極歐姆接觸區(qū)并列地位于所述第一阱內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述隔離環(huán)和緊鄰的第一阱之間的外延層上覆蓋有場氧化層，所述場氧化層上具有高值電阻，所述體接觸區(qū)與所述地電位接觸區(qū)電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述復(fù)合半導(dǎo)體器件的版圖上，所述高值電阻分布在所述復(fù)合半導(dǎo)體器件的最外圍。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述漏極歐姆接觸區(qū)具有第二摻雜類型，所述晶體管為LDMOS晶體管。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述漏極歐姆接觸區(qū)具有第一摻雜類型，所述晶體管為LIGBT晶體管。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

第二摻雜類型的第二阱，與所述高壓阱并列地位于所述外延層內(nèi)，所述擠壓電阻歐姆接觸區(qū)位于所述第二阱內(nèi)。

11.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一摻雜類型的半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一摻雜類型的埋層；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成第二摻雜類型的外延層，所述外延層覆蓋所述埋層，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反；

在所述外延層內(nèi)形成第二摻雜類型的高壓阱；

在所述高壓阱內(nèi)形成第二摻雜類型的深阱；

在所述外延層內(nèi)形成與所述高壓阱并列的第一阱，所述第一阱具有第一摻雜類型；

在所述第一阱內(nèi)形成源極歐姆接觸區(qū)，在所述外延層內(nèi)形成擠壓電阻歐姆接觸區(qū)，在所述深阱內(nèi)形成漏極歐姆接觸區(qū)；

形成靠近所述源極歐姆接觸區(qū)的柵極，靠近所述源極歐姆接觸區(qū)的柵極至少覆蓋所述源極歐姆接觸區(qū)與所述高壓阱之間的外延層；

其中，所述源極歐姆接觸區(qū)、漏極歐姆接觸區(qū)和柵極形成晶體管的至少一部分，所述漏極歐姆接觸區(qū)和擠壓電阻歐姆接觸區(qū)形成擠壓電阻的至少一部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，在形成所述深阱之后還包括：

在所述高壓阱內(nèi)形成第一摻雜類型的降場層，所述降場層與所述漏極歐姆接觸區(qū)并列地位于所述高壓阱內(nèi)。