[發明專利]半導體異質結器件

有效

• 申請號: 201510303315.8
• 申請日: 2015-06-04
• 公開（公告）號: CN105322006B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 雷德弗里德勒·阿德里安斯·瑪利亞·胡爾克斯;杰倫·安東·克龍;約翰內斯·J·T·M·唐克爾;斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海爾;簡·雄斯基
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周泉

1.一種異質結半導體器件，包括：

襯底；

多層結構，布置在所述襯底上，所述多層結構包括：

第一層，包括布置在所述襯底的上方的第一半導體；

第二層，包括第二半導體，所述第二半導體布置在所述第一層的上方以限定所述第一層與所述第二層之間的界面，其中所述第二半導體與所述第一半導體不同，使得在所述界面附近形成二維電子氣；

第一端子，電耦合到所述第一層與所述第二層之間的所述界面的第一區域；

第二端子，電耦合到所述第一層與所述第二層之間的所述界面的第二區域；以及

導電溝道，包括與所述第一層接觸的至少一個金屬導電溝道，其中所述導電溝道將所述第二端子與所述第一層的區域連接，使得電荷能夠在所述第二端子和所述第一層之間流動。

2.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，導電溝道與所述第二端子具有不同的電導率。

3.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，所述至少一個金屬導電溝道中的金屬與用來和二維電子氣相互作用的金屬不同。

4.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，所述至少一個金屬導電溝道中的金屬包括鎳。

5.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，所述導電溝道位于所述第二端子下方，位于所述第二端子的區域內。

6.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，所述導電溝道位于所述第二端子下方，并且部分地向所述第一端子延伸。

7.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，所述異質結半導體器件包括：鈍化層，所述鈍化層包括布置在所述第二層的上方的半導體鈍化層。

8.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，所述第一半導體是第一III-V半導體，并且所述第二半導體是第二III-V半導體。

9.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，所述第一層包括氮化鎵。

10.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，所述第二層包括氮化鋁鎵。

11.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，其中，所述第一端子到所述異質結半導體器件的電耦合包括與所述第二層的肖特基接觸，并且所述第二端子到所述異質結半導體器件的電耦合包括與所述第二層的歐姆接觸，以使得所述異質結半導體器件被配置為包括肖特基二極管。

12.根據權利要求1所述的異質結半導體器件，還包括：第三端子，電耦合到所述異質結半導體器件的第三區域，以使得所述第一端子位于所述第二端子和所述第三端子之間。

13.根據權利要求12所述的異質結半導體器件，其中：

所述第三端子包括源極端子；

所述第二端子包括漏極端子；

所述第一端子包括柵極端子；

所述異質結半導體器件被配置為包括高電子遷移率晶體管。

14.根據權利要求12所述的異質結半導體器件，其中，所述異質結半導體器件包括：鈍化層，所述鈍化層包括布置在所述第二層的上方的半導體鈍化層；所述異質結半導體器件還包括：電介質層，布置在所述第二層與所述半導體鈍化層之間，其中：

所述第三端子包括源極端子，所述源極端子電耦合到所述第二層，使得電荷能夠從所述第三端子流動到所述第二層；

所述第二端子包括漏極端子，所述漏極端子電耦合到所述第二層，使得電荷能夠從所述第二層流入所述第二端子；

所述第一端子包括柵極端子，所述柵極端子布置在所述電介質層上方；

從而，異質結半導體器件被配置為包括金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率晶體管。

15.一種集成電路，包括根據前述任一權利要求所述的異質結半導體器件。