[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201510303036.1
• 申請日: 2015-06-04
• 公開（公告）號: CN104868061B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 張曉晉;陳磊;謝蒂旎
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其是涉及一種有機電致發光器件及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

現有的有機電致發光器件中，可以通過層疊式有機電致發光單元(stacked OLED)的結構設計來實現發光顏色可調節的功能，層疊式OLED結構通過垂直基板表面堆疊若干單個的OLED單元、并使用單個電源來驅動每一個OLED單元而制造，通過分別控制每一個OLED單元的發光狀態，可以使OLED器件最終發出不同顏色的光，從而實現光色可調的功能。然而，由于現有的層疊式OLED結構器件中，一個OLED單元發出的光在通過OLED器件的出光面發射出去之前，可能會穿過與其層疊設置的其他OLED單元，而光波在穿過其他OLED單元結構時，如果該光波的光子能量較大，可能會激發其他的OLED單元中的發光層發光，從而導致該OLED器件發出的光的顏色不純。

發明內容

本發明提供了一種有機電致發光器件及其制備方法、顯示裝置，其中，上述有機電致發光器件可以調節發光顏色且發出的光的色純度比較高。

為達到上述目的，本發明提供以下技術方案：

一種有機電致發光器件，包括：

具有相位延遲特性的襯底基板，所述襯底基板的一側設有線柵偏振結構；

位于線柵偏振結構背離襯底基板一側的藍光有機電致發光單元，所述藍光有機電致發光單元背離所述襯底基板的一側為所述有機電致發光器件的出光側；

位于襯底基板背離藍光有機電致發光單元一側的綠光有機電致發光單元和紅光有機電致發光單元，所述綠光有機電致發光單元和所述紅光有機電致發光單元沿所述襯底基板的延展方向排列。

上述有機電致發光器件中，可以通過分別控制藍光有機電致發光單元、綠光有機電致發光單元和紅光有機電致發光單元的發光狀態以實現發射出不同顏色的光，從而實現光色可調的功能；

且上述有機電致發光器件中，由于藍光有機電致發光單元的與出光側相對的一側設有線柵偏振結構和襯底基板，所以，當藍光有機電致發光單元發光時，大部分產生的藍光都會通過出光側發射出去，只有很少部分的藍光可以穿過線柵偏振結構和襯底基板進入到綠光有機電致發光單元和/或紅光有機電致發光單元的發光層中；如果部分藍光穿過線柵偏振結構和襯底基板進入到綠光有機電致發光單元和/或紅光有機電致發光單元中，根據光學原理，藍光光波在通過線柵偏振結構后將變為線偏光，再通過具有相位延遲特性的襯底基板后，該部分藍光光波將變成橢圓偏振光，如果受到這部分呈橢圓偏振態的藍光的激發導致綠光有機電致發光單元和/或紅光有機電致發光單元輻射出光波，則受激輻射出的光波將具有與激發光(呈橢圓偏振態的藍光光波)相似或相同的偏振態；如果上述受激輻射出的光波通過具有相位延遲特性的襯底基板，則其中大部分光波將變為線偏光，且該部分線偏光與線柵偏振結構的起偏方向(垂直于線柵的延伸方向)存在較大夾角，而根據光學原理，只有與起偏方向平行的偏振分量能夠通過線柵偏振結構，因此，該部分受激輻射產生的光波在通過線柵偏振結構時將產生嚴重的消光作用，使得受激輻射出的光波大部分無法通過線柵偏振結構；綜上，只有很少部分的藍光能夠穿過線柵偏振結構和襯底基板并激發綠光有機電致發光單元和/或紅光有機電致發光單元發光，因此受激輻射產生的光波很少，并且受激輻射出的光波大部分無法通過線柵偏振結構，從而無法進入到藍光有機電致發光單元中，也不會從該有機電致發光器件的出光側發射出去，因此，藍光有機電致發光單元發光時產生的光噪音較小；另一方面，由于綠光有機電致發光單元和紅光有機電致發光單元發出的光的光子能量相對較小，無法激發藍色有機電致發光單元的發光層發光，且綠光有機電致發光單元和紅光有機電致發光單元為沿襯底基板的延展方向排列，即彼此的出光面平行，所以彼此激發導致產生光噪音的可能性較小，因此，綠光有機電致發光單元和/或紅光有機電致發光單元發光時產生的光噪音較小；綜上所述，藍光有機電致發光單元、綠光有機電致發光單元和紅光有機電致發光單元發光時產生的光噪音都較小，因此，上述有機電致發光器件發出的光的色純度比較高。

因此，上述有機電致發光器件可以調節發光顏色且發出的光的色純度比較高。

另外，由于線柵偏振結構的消光作用，可以使得整個有機電致發光器件對外部光線的反射率大大降低，因此，該有機電致發光器件的對比度較高。

優選地，所述襯底基板為利用波片制成的襯底基板，所述線柵偏振結構的線柵與所述波片的光軸之間成45度夾角。

優選地，所述襯底基板為利用針對波長為435～760nm的光具有相位延遲作用的波片制成的襯底基板。