[發明專利]一種p型導電薄膜TaxMo1?xS2及制備方法有效
| 申請號： | 201510295601.4 | 申請日： | 2015-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN104992983B | 公開（公告）日： | 2017-10-20 |
| 發明（設計）人： | 馮麗萍;李大鵬;杜志楠;張曉東;張興元;劉正堂 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 導電 薄膜 ta sub mo 制備 方法 | ||
1.一種p型導電薄膜TaxMo1-xS2的制備方法，所述薄膜中Ta的摻入量x為0.2～0.4，所述薄膜厚度為4～16nm，其特征在于制備方法步驟如下：
步驟1、清洗Si襯底：將Si襯底在6～10％的氫氟酸溶液中浸泡除去表面氧化膜；然后將Si襯底在去離子水中采用超聲波清洗；然后將Si襯底放在無水乙醇中用超聲波清洗得到清洗干凈的Si襯底；
步驟2、采用PEALD等離子體增強原子層沉積方法在Si襯底上沉積TaxMo1-xS2薄膜：將清洗干凈的Si襯底加熱至100～300℃，通入前驅體六羰基鉬和五氯化鉭2～6s，然后用高純N2氣清洗6～14s，再將硫化氫氣體等離子化2～6s，最后用高純N2氣再清洗10～16s；所述六羰基鉬的流量8～16SCCM；所述五氯化鉭的流量2～6SCCM；所述高純N2氣的流量6～10SCCM；所述硫化氫的流量10～20SCCM；
步驟3：循環步驟2，使得滿足TaxMo1-xS2薄膜所要求的厚度；
步驟4、原位退火：對經過步驟2的鍍膜Si襯底在原位進行退火處理，工藝條件為：退火溫度400～600℃、退火保護氣氛Ar氣、退火時間20～60min，得到TaxMo1-xS2薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1中超聲波清洗時超聲波的功率為100～200W，超聲波的頻率為20～24kHz。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟1在去離子水中超聲波清洗時間為2～4分鐘。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟1在無水乙醇中超聲波清洗時間為3～5分鐘。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1中在6～10％的氫氟酸溶液中浸泡5～10分鐘。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3中的循環次數為50～150次。
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