[發(fā)明專利]一種氧化亞銅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510295043.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-06-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104993004B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱麗萍;牛文哲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/072 | 分類號(hào): | H01L31/072;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司33200 | 代理人: | 韓介梅 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化亞銅 基異質(zhì)結(jié) 太陽(yáng)能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種氧化亞銅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,在襯底(1)上自下而上依次有鉻金復(fù)合電極?(2)、氧化亞銅層(3)、ZnO:S緩沖層(4)、ZnO:Al層(5)和鋁柵電極(6),所述的ZnO:S緩沖層(4)厚度為10nm,硫的原子百分比為9%,所述的ZnO:Al層(5)載流子濃度大于1021cm-3,方塊電阻小于50Ω/□。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化亞銅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述的鉻金復(fù)合電極(2)中鉻層厚度為8nm,?金層厚度為100~120nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化亞銅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述的氧化亞銅層(3)的厚度為2.5μm±100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化亞銅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述的鋁柵電極(6)的厚度為1μm,其柵間距為0.5㎜。
5.制備如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的氧化亞銅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的方法,其特征在于,包括如下步驟:
1)在潔凈的襯底(1)上依次蒸鍍鉻、金制備鉻金復(fù)合電極(2);
2)在上述鉻金復(fù)合電極(2)表面采用電化學(xué)沉積法生長(zhǎng)氧化亞銅層(3),并在鉻金復(fù)合電極(2)表面預(yù)留用于電池測(cè)試的面積;
3)在上述氧化亞銅層(3)表面依次沉積生長(zhǎng)ZnO:S緩沖層(4)和?ZnO:Al層(5);
4)在ZnO:Al層(5)表面制作鋁柵電極(6),獲得氧化亞銅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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