[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510293629.4
• 申請(qǐng)日: 2015-06-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105280625A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-01-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋山悟;小林宏嘉;豬股久雄;齊藤正
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L29/808;H01L29/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

第一半導(dǎo)體芯片，具有由帶隙大于硅的半導(dǎo)體構(gòu)成的第一襯底，所述第一半導(dǎo)體芯片被形成有第一結(jié)FET，所述第一結(jié)FET具有第一柵極電極、第一源極和第一漏極；

第二半導(dǎo)體芯片，具有由帶隙大于硅的半導(dǎo)體構(gòu)成的第二襯底，所述第二半導(dǎo)體芯片被形成有第二結(jié)FET，所述第二結(jié)FET具有第二柵極電極、第二源極和第二漏極；以及

第三半導(dǎo)體芯片，具有由硅構(gòu)成的第三襯底，所述第三半導(dǎo)體芯片被形成有MOSFET，所述MOSFET具有第三柵極電極、第三源極和第三漏極；

所述第一結(jié)FET的第一源極與所述MOSFET的第三漏極電耦合，

所述第二結(jié)FET的第二源極與所述MOSFET的第三漏極電耦合，

所述第一結(jié)FET的第一柵極電極與所述MOSFET的第三源極電耦合；以及

所述第二結(jié)FET的第二柵極電極與所述MOSFET的第三源極電耦合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一結(jié)FET和所述第二結(jié)FET分別是常通的類型，以及其中所述MOSFET是常斷的類型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片彼此具有相同尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片具有第一表面和第一背表面，所述第一表面形成有電耦合至所述第一源極的第一源極焊盤(pán)以及電耦合至所述第一柵極電極的第一柵極焊盤(pán)，所述第一背表面電耦合至所述第一漏極并且位于與所述第一表面相對(duì)的側(cè)邊上，

其中所述第二半導(dǎo)體芯片具有第二表面和第二背表面，所述第二表面形成有電耦合至所述第二源極的第二源極焊盤(pán)以及電耦合至所述第二柵極電極的第二柵極焊盤(pán)，所述第二背表面電耦合至所述第二漏極并且位于與所述第二表面相對(duì)的側(cè)邊上，

其中所述第三半導(dǎo)體芯片具有第三表面和第三背表面，所述第三表面形成有電耦合至所述第三源極的第三源極焊盤(pán)以及電耦合至所述第三柵極電極的第三柵極焊盤(pán)，所述第三背表面電耦合至所述第三漏極并且位于與所述第三表面相對(duì)的側(cè)邊上，

其中所述半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步具有：第一芯片安裝區(qū)段，所述第一芯片安裝區(qū)段具有安裝有所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片的第一上表面以及位于與所述第一上表面相對(duì)側(cè)邊上的第一下表面；耦合至所述第一芯片安裝區(qū)段的漏極引線；與所述漏極引線分離的源極引線；與所述源極引線和所述漏極引線分離的柵極引線；電耦合所述第一半導(dǎo)體芯片的第一柵極焊盤(pán)與所述源極引線的第一金屬導(dǎo)體；電耦合所述第二半導(dǎo)體芯片的第二柵極焊盤(pán)與所述源極引線的第二金屬導(dǎo)體；以及密封所述第一半導(dǎo)體芯片、所述第二半導(dǎo)體芯片、所述第三半導(dǎo)體芯片、所述第一芯片安裝區(qū)段的一部分、所述漏極引線的一部分、所述源極引線的一部分、所述柵極引線的一部分、所述第一金屬導(dǎo)體以及所述第二金屬導(dǎo)體的密封本體，

其中所述第一半導(dǎo)體芯片的第一源極焊盤(pán)與所述第三半導(dǎo)體芯片的第三背表面電耦合，

其中所述第二半導(dǎo)體芯片的第二源極焊盤(pán)與所述第三半導(dǎo)體芯片的第三背表面電耦合，

其中所述第三半導(dǎo)體芯片的第三柵極焊盤(pán)與所述柵極引線電耦合，以及

其中所述第三半導(dǎo)體芯片的第三源極焊盤(pán)與所述源極引線電耦合。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)設(shè)置在所述漏極引線、所述源極引線和所述柵極引線中的最靠近所述源極引線的位置處。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述第一半導(dǎo)體芯片被設(shè)置成使得所述第一柵極焊盤(pán)比所述第一源極焊盤(pán)更靠近所述源極引線，以及

其中所述第二半導(dǎo)體芯片被設(shè)置成使得所述第二柵極焊盤(pán)比所述第二源極焊盤(pán)更靠近所述源極引線。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一芯片安裝區(qū)段的第一下表面從所述密封本體暴露。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片的第一表面的布局配置與所述第二半導(dǎo)體芯片的第二表面的布局配置彼此相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一金屬導(dǎo)體的長(zhǎng)度與所述第二金屬導(dǎo)體的長(zhǎng)度彼此相同。