[發明專利]一種大花蕙蘭的培養方法有效
| 申請號: | 201510284906.5 | 申請日: | 2015-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN104813943B | 公開(公告)日: | 2017-11-10 |
| 發明(設計)人: | 李茜茜;曾玉冰 | 申請(專利權)人: | 綿陽市仙龍生物技術有限公司 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司51214 | 代理人: | 沈強,卿誠 |
| 地址: | 621000 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大花蕙蘭 培養 方法 | ||
1.一種大花蕙蘭的培養方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)利用大花蕙蘭新芽莖尖誘導產生類原球莖;
(2)將步驟1誘導的類原球莖接種于液體增殖培養基中靜置培養14~16天,得到液體培養類原球莖;
(3)將步驟2得到的液體培養類原球莖取出,切分后接種入固體增殖培養基培養20~30天,得到固體培養類原球莖;
(4)將步驟3得到的固體培養類原球莖切分后接種于液體增殖培養基中靜置培養,依次重復步驟2、3,當繁殖到所需類原球莖數量后,采用固體增殖培養基培養40~90天,得到不定芽;
(5)將步驟4制備的不定芽接種到生根壯苗培養基中,培養90~120天,即得種苗;
所述步驟2中,培養條件為:溫度24~26℃,光照強度1500~2000LX,光照時間每天15~18小時,培養14~16天 ;
所述步驟3中,培養條件為:溫度24~26℃,光照強度1500~2000LX,光照時間每天15~18小時;
所述步驟4中,培養條件為:溫度24~26℃,光照強度1500~2000LX,光照時間每天15~18小時;
所述步驟5中,培養條件為:溫度24~26℃,光照強度2500~3000LX,光照時間為每天15~18小時;
所述液體增殖培養基的組成成分及濃度為:500mg/L (NH4)2SO4,250mg/L MgSO4·7H2O,525mg/L KNO3,250mg/L KH2PO4,200mg/L Ca3(PO4)2,28mg/L Fe2(C4H4O6)3·2H2O,7.5mg/L MnSO4·4H2O,20000mg/L 糖;
所述固體增殖培養基的組成成分及濃度為:500mg/L (NH4)2SO4,250mg/L MgSO4·7H2O,250mg/L KH2PO4,200mg/L Ca(NO3)2·4H2O,28mg/L FeSO4·7H2O,7.5mg/L MnSO4·4H2O,0.2mg/L 6-BA, 0.1mg/L NAA,50000~100000mg/L 香蕉,4500mg/L 瓊脂,20000mg/L 糖。
2.根據權利要求1所述大花蕙蘭的培養方法,其特征在于,所述步驟2中,培養條件為:溫度25℃,光照強度1500~2000LX,光照時間每天15小時,培養15天。
3.根據權利要求1所述大花蕙蘭的培養方法,其特征在于,所述步驟3、4中,培養條件為:溫度25℃,光照強度1500~2000LX,光照時間每天15小時。
4.根據權利要求1所述大花蕙蘭的培養方法,其特征在于,所述步驟3中,將步驟2制備的液體培養類原球莖取出,切分后接種入固體增殖培養基靜置培養21天,得到固體培養類原球莖。
5.根據權利要求1所述大花蕙蘭的培養方法,其特征在于,所述步驟4中,當繁殖到所需類原球莖數量后,采用固體增殖培養基培養60~90天,得到不定芽。
6.根據權利要求1所述大花蕙蘭的培養方法,其特征在于,將步驟4制備的不定芽接種入生根壯苗培養基中培養90~120天后,得到種苗,種苗經煉苗后即可移栽入溫室大棚種植。
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