[發明專利]一種高密度ITO靶材的制備方法有效

申請號：	201510280227.0	申請日：	2015-05-24
公開（公告）號：	CN104909723B	公開（公告）日：	2017-04-19
發明（設計）人：	駱樹立;王建堂;李慶豐;駱如河;駱如田;駱勝華;駱勝磊;曹立江;王鳳雷;李麗娜;喬向力	申請（專利權）人：	河北恒博新材料科技股份有限公司
主分類號：	C04B35/01	分類號：	C04B35/01;C04B35/622
代理公司：	北京中知法苑知識產權代理事務所(普通合伙)11226	代理人：	常玉明,張蘭海
地址：	057250 ***	國省代碼：	河北;13
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種高密度 ito 制備方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種高密度ITO靶材的制備方法，屬于光電材料技術領域。

背景技術

ITO靶材是制備ITO導電玻璃的重要原料，廣泛應用于液晶顯示器(LCD)面板和許多電子產品的制備上，如觸摸屏、等離子體顯示器(PDP)、汽車防熱除霧玻璃、有機發光平面顯示器(OLED)、光電轉換器、太陽能電池等。ITO的性能是決定導電玻璃產品質量、生產效率、成品率的關鍵因素。其主要性能指標包括成分、相結構和密度。高密度才能保證靶材具有較低的電阻率、較高的導熱率及較高的機械強度，因此高品質ITO靶材的相對密度應大于99.5％。到目前為止，高性能ITO靶材的制備技術主要掌握在德國、韓國、日本等國家手中。

ITO靶材的生產主要包括粉末制備、成型和燒結三個主要環節。從上個世紀80年開始國外率先采用液相共沉淀法制備ITO粉體。該方法合成的粉體粒徑小、分布窄，結構和形貌可控，規模化程度高，生產成本低，此技術已趨成熟。我國開展ITO陶瓷靶材的研究起步較晚，但在粉末制備技術方面，尤其是采用液相共沉淀法制備的粉體，其粉體性能已接近國外水平。國內外的專利如日本專利JP193939/1993，JP29770/1995，JP68935/1994；中國專利CN 101830498 A，CN 102627454 A，CN 103274683A等對共沉淀法合成ITO粉末制備高密度ITO的技術均有報道。為了提高ITO靶材的密度，粉體的納米化和結構的控制只是一個方面。在不影響ITO靶材導電性能的前提下，添加燒結劑是降低燒結溫度，提高密度和控制微觀結構的另一重要途徑。美國專利US6,784,361,US6,288,325,US6,613,603和中國專利CN 102180653 A，CN 103232234 A等都報道了采用高價、低熔點的金屬氧化物作為ITO靶材的燒結劑，可以顯著降低燒結溫度，提高靶材燒結密度。中國專利CN 103232234 A描述了使用共沉淀法制備的ITO粉末(In₂O₃:SnO₂＝90:l 0wt％)作為原材料，加入質量比為1～5％的Y₂O₃，Dy₂O₃，B₂O₃，Li₂O中的一種或者幾種作為燒結劑；混合均勻后，采用模壓成型，在氧氣氛下于1200～1600℃下燒結4～10小時。靶材密度由無添加燒結劑的7.022g/cm³提高至7.13g/cm³。文獻(稀有金屬材料與工程,2006,36(7),1021～1024)也報道了采用化學共沉淀法摻Nb，Ta，Bi到ITO材料中，其金屬氧化物的質量摻入量為1.0％～1.5％時，常壓氧條件下，燒結溫度為1450℃～1500℃，可使ITO靶相對密度提高至97％～99％，并且靶電阻率可小于30×10^-4Ω·cm。