[發明專利]一種晶圓曝光順序的優化方法

有效

• 申請號: 201510277863.8
• 申請日: 2015-05-27
• 公開（公告）號: CN104898378B
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 王曉龍;陳力鈞;李德建;朱駿
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,陳慧弘

1.一種晶圓曝光順序的優化方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01、提供待曝光晶圓；

步驟S02、預設多個透鏡受熱等級值，并檢測當前透鏡受熱值；其中，所述透鏡受熱等級值包括第一閾值A、第二閾值B以及第三閾值C，所述第一閾值A<第二閾值B<第三閾值C；

步驟S03、根據當前透鏡受熱值選擇曝光路徑對硅片進行曝光；其中：

當透鏡受熱值<第一閾值A時，所述曝光路徑從晶圓邊緣開始，依次重復進行曝光；

當第一閾值A<透鏡受熱值<第二閾值B時，所述曝光路徑從晶圓邊緣開始，縱向間隔一曝光單元進行重復曝光；

當第二閾值B<透鏡受熱值<第三閾值C時，所述曝光路徑從晶圓邊緣開始，縱向間隔一曝光單元且橫向間隔一列曝光單元進行重復曝光，或者僅縱向間隔一曝光單元進行重復曝光；具體的，曝光路徑從晶圓邊緣開始，縱向間隔一曝光單元進行曝光，到達該列曝光單元終點時，移動至間隔一列的曝光單元的端部，繼續縱向間隔一曝光單元進行曝光，如此循環，直至完成晶圓曝光；

當透鏡受熱值>第三閾值C時，停止光刻機工作，等待透鏡冷卻。

2.根據權利要求1所述的晶圓曝光順序的優化方法，其特征在于，步驟S03中，當透鏡受熱值<第一閾值A時，所述曝光路徑從晶圓邊緣開始，依次重復進行曝光，到達該列曝光單元終點時，移動至下列曝光單元的端部，繼續依次重復進行曝光，如此循環，直至完成晶圓曝光。

3.根據權利要求1所述的晶圓曝光順序的優化方法，其特征在于，步驟S03中，當第一閾值A<透鏡受熱值<第二閾值B時，所述曝光路徑從晶圓邊緣開始，縱向間隔一曝光單元進行曝光，到達該列曝光單元終點時，移動至相鄰列曝光單元的端部，繼續縱向間隔一曝光單元進行曝光，如此循環，直至完成晶圓曝光。

4.根據權利要求1所述的晶圓曝光順序的優化方法，其特征在于，步驟S03中，當第二閾值B<透鏡受熱值<第三閾值C時，所述曝光路徑從晶圓邊緣開始，縱向間隔一曝光單元進行曝光，到達該列曝光單元終點時，移動至間隔一列的曝光單元的端部，繼續縱向間隔一曝光單元進行曝光，如此循環，直至完成晶圓曝光。

5.根據權利要求1所述的晶圓曝光順序的優化方法，其特征在于，所述晶圓劃分為若干個曝光單元，各曝光單元的尺寸一致。

6.根據權利要求1所述的晶圓曝光順序的優化方法，其特征在于，所述晶圓通過真空設備吸附在載片臺上。