[發(fā)明專利]主動元件結構及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510277505.7
• 申請日: 2015-05-27
• 公開（公告）號: CN104966738B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 葉柏良;吳振中;張君安;游江津;張家銘
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種主動元件結構，包括：

柵極；

氧化物通道層，與該柵極上下疊置，其中該氧化物通道層包括一上層與一下層，且該上層的晶格結構與該下層的晶格結構不同；

源極，接觸該氧化物通道層；

漏極，接觸該氧化物通道層，其中該源極與該漏極相隔一間距以在該氧化物通道層定義出一通道區(qū)；以及

高能量絕緣層，接觸該氧化物通道層的該上層，該高能量絕緣層是通過能量密度由0.14瓦/平方厘米(W/cm²)至0.37瓦/平方厘米(W/cm²)之間的一高能量沉積步驟來形成，

其中該上層的氧含量低于該下層的氧含量，且該上層的晶格結構為體心立方(BCC)結晶或面心立方(FCC)結晶。

2.如權利要求1所述的主動元件結構，其中該高能量絕緣層的材質包括氧化硅。

3.如權利要求1所述的主動元件結構，其中該上層的厚度與該下層的厚度的比為1：5至1：9。

4.如權利要求1所述的主動元件結構，其中該下層為非晶質的晶格結構。

5.如權利要求1所述的主動元件結構，還包括柵極絕緣層，其中該柵極絕緣層位于該柵極與該氧化物通道層之間，且該氧化物通道層、該源極與該漏極位于該高能量絕緣層與該柵極絕緣層之間。

6.如權利要求1所述的主動元件結構，還包括保護層，其中該高能量絕緣層位于該柵極與該氧化物通道層之間。

7.如權利要求1所述的主動元件結構，其中該氧化物通道層的該上層與該下層的材質包括銦鎵鋅氧化物。

8.如權利要求1所述的主動元件結構，其中該氧化物通道層的該上層的面積大致相同于該氧化物通道層與該高能量絕緣層的接觸面積。

9.一種主動元件結構的制作方法，包括：

形成一柵極、一氧化物通道層、一源極與一漏極，其中該柵極與該氧化物通道層上下疊置，該源極與該漏極接觸該氧化物通道層并相隔一間距以在該氧化物通道層定義出一通道區(qū)；

進行一高能量沉積步驟以形成接觸該氧化物通道層的一高能量絕緣層，其中該高能量沉積步驟的能量密度由0.14瓦/平方厘米(W/cm²)至0.37瓦/平方厘米(W/cm²)；以及

進行一退火步驟，以使該氧化物通道層包括接觸于該高能量絕緣層的一上層與一下層，且該上層的晶格結構與該下層的晶格結構不同，該上層形成為具有體心立方結晶或面心立方結晶的結晶度較高的結晶相，其中該退火步驟的制作工藝溫度由200℃至300℃。

10.如權利要求9所述的主動元件結構的制作方法，其中該高能量沉積步驟的能量密度由0.21瓦/平方厘米(W/cm²)至0.28瓦/平方厘米(W/cm²)。

11.如權利要求9所述的主動元件結構的制作方法，其中該退火步驟在大氣環(huán)境下進行。

12.如權利要求9所述的主動元件結構的制作方法，其中該退火步驟的制作工藝溫度為230℃，且進行時間為120分鐘。

13.如權利要求9所述的主動元件結構的制作方法，其中該退火步驟在該高能量沉積步驟之后進行。

14.如權利要求9所述的主動元件結構的制作方法，其中該高能量絕緣層形成于該柵極與該氧化物通道層之間。

15.如權利要求9所述的主動元件結構的制作方法，還包括形成一柵極絕緣層于該柵極與該氧化物通道層之間，且該氧化物通道層、該源極與該漏極都形成于該柵極絕緣層與該高能量絕緣層之間。

16.如權利要求9所述的主動元件結構的制作方法，其中該高能量絕緣層的材質包括氧化硅。