[發明專利]一種純ITO膜結構單層多點的電容式觸摸屏制作工藝

在審

• 申請號: 201510275966.0
• 申請日: 2015-05-27
• 公開（公告）號: CN104820535A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: 許明旭;敖龍華;曾昭杰
• 申請（專利權）人: 廣東泰通科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 倪小敏;鄭永泉

技術領域

本發明涉及觸摸屏制作技術領域，具體涉及一種純ITO膜結構單層多點的電容式觸摸屏制作工藝。

背景技術

電容式觸摸屏是一種計算機輸入輸出設備，具有可靠性高、耐用性好等優點，廣泛應用于通訊、消費類電子、儀器儀表等多個方面，是智能移動終端人機交互的重要部件。電容觸摸屏是將手指或者導電介質在觸摸時與基板上的電極間所產生的電容變化，通過驅動芯片的數字轉換，輸出手指或者導電介質觸控的坐標位置。目前電容式觸摸屏已經廣泛應用于手機，平板等領域。按基材劃分，有膜結構和玻璃結構兩種，按貼合結構劃分有G+F、G+F2、OGS、on-cell、in-cell等。按工藝劃分，一般有黃光、鐳射、印刷等幾個方向。

電容式觸摸屏感應器的制作方法主要有印刷制程、鐳雕制程和黃光制程等。印刷制程工藝簡單，設備成本較低，但其線路精度只能做到0.1mm，而且線性度較差，觸控感應不靈敏，不適合大尺寸的感應器制作；鐳雕制程線路精度可達到0.05mm，但存在工藝效率和爆點問題，不適合復雜圖形的批量生產；黃光制程線路精度可達到0.04mm，線性度良好，觸控感應靈敏，支持復雜圖形的設計，是目前比較主流的生產方式。傳統的黃光制程工藝是對感應器的ITO?層采用多次曝光顯影的制作方法，對金屬層采用銀漿印刷的方法，這樣的工藝需要多次圖像成型，工序較為復雜，對上下層圖形的對位精準度要求較高，金屬層線寬較大，優良率低。

現有公開的一種菲林結構電容式觸摸屏感應器線路圖的一體成型制作方法及其制成的產品，包括：裁切預定尺寸的鍍銅ITO；在鍍銅ITO?表面上涂敷液態光刻膠，并烘烤固化為光阻層；采用光罩對涂上光阻層的鍍銅ITO?進行曝光；將曝光后的鍍銅ITO?進行顯影；將顯影后的鍍銅ITO進行金屬圖案蝕刻；將蝕刻出金屬圖案后的鍍銅ITO?進行ITO?圖案蝕刻；將蝕刻后的鍍銅ITO?的光阻層進行剝離。該方法中采用鍍銅ITO膜為材料，在制作工藝中增加了對金屬的蝕刻工序，且浪費材料；同時，該工藝得到的產品精準度偏低，產品厚度較厚，不良率較高，存在金屬蝕刻時的側蝕問題。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供一種基于一次曝光成型的純ITO膜的觸摸屏感應器生產工藝的單層多點方案，純ITO膜的單層結構比傳統黃光工藝的鍍銅ITO結構節省制作工序，省去原材鍍銅膜的消耗，為生產節約成本。同時將原來銀漿跳線的部分印刷改變成整個金屬層的銀漿印刷，以銀線代替銅線，避免了銅蝕刻的側蝕問題，同時節省了蝕刻和側蝕抑制的藥劑使用。

為了實現上述目的，本發明提供的一種純ITO膜結構單層多點的電容式觸摸屏制作工藝，依次包括以下步驟：

S1、老化：對純ITO膜進行高溫老化，利用高溫老化可以改善ITO膜基材的穩定性，提高ITO膜的透過率，同時消除部分光學上的偏振現象，減少光膜層之間的光學干涉；其次，可以改變ITO膜表面的電阻；第三，可將ITO從非結晶狀態轉變為結晶狀態，提高穩定性；

S2、涂布：在經步驟S1老化后的ITO膜表面涂敷液態光阻劑，并烘烤使得所述液態光阻劑固化為光阻層；

S3、曝光：對涂敷在ITO膜表面上的光阻層進行曝光；

S4、顯影：將經步驟S3曝光后的ITO膜用堿性溶液進行顯影，在光阻層上產生圖案；

S5、蝕刻：將經步驟S4顯影后的ITO膜用酸性溶液進行蝕刻，在ITO膜上形成圖形；與傳統的黃光工藝采用鍍銅ITO膜相比，減少了銅的蝕刻工序；

S6、剝膜：將經步驟S5蝕刻后的ITO膜用堿性溶液去除ITO膜表面的光阻層；

S7、絕緣印刷：在經過步驟S6剝膜后的ITO膜上印刷透明的絕緣油墨，并在紫外燈照射下固化絕緣油墨；絕緣油墨起到隔絕導電銀漿和ITO膜的接觸作用，使本制作工藝中的搭橋技術更加方便、精確；

S8、銀漿印刷：在經過步驟S7后的ITO膜上印刷導電銀漿，本步驟將原來銀漿跳線的部分印刷改變成整個金屬層的銀漿印刷，這部分只需要將原來網板的跳線圖案改變成整個金屬層圖案即可，以銀線代替銅線，避免了銅蝕刻的側蝕問題；與傳統的黃光工藝采用鍍銅ITO膜相比，沒有了原先鍍好的銅，即金屬層由銀漿印刷來完成，由于銀漿印刷只需要在周邊線路上涂上少量的線條，不需要像鍍銅一樣，全面覆蓋再蝕刻；

S9、烘烤：將經過步驟S8后的ITO膜置于烤箱中，固化導電銀漿形成線路，得到所述純ITO膜結構單層多點的電容式觸摸屏成品。

優選的，所述步驟S1中的老化溫度為140℃。