[發明專利]導電薄膜和包括其的電子器件有效
| 申請號: | 201510275760.8 | 申請日: | 2015-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN105321591B | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發明(設計)人: | 文庚奭;金相壹;金世潤;樸喜正;李孝錫;崔在榮 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01B1/10 | 分類號: | H01B1/10;H01B1/06;C01B19/04;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 金擬粲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 薄膜 包括 電子器件 | ||
1.導電薄膜,包括:
由化學式1表示并且具有層狀晶體結構的化合物:
化學式1
MeCh2
其中Me為Ir、Pd、Pt、Ag、或者Au,和Ch為碲,
其中所述導電薄膜包括多個包含化學式1的化合物的納米片,或者其中所述導電薄膜為包含化學式1的化合物的連續的膜的形式,
其中所述導電薄膜具有小于或等于50納米的厚度,和
其中所述導電薄膜對于具有550nm波長的光具有大于或等于80%的透射率,
其中化學式1的化合物為PdTe2、AgTe2、IrTe2、PtTe2、AuTe2、或其組合,和
其中α與ρ的乘積小于或等于30歐姆/平方,其中α為所述化合物對于具有550nm波長的光的吸收系數且ρ為所述化合物的電阻率值。
2.權利要求1的導電薄膜,其中所述導電薄膜在其表面上不含氧化物層。
3.權利要求1的導電薄膜,其中所述導電薄膜具有大于或等于4300西門子/厘米的電導率。
4.權利要求3的導電薄膜,其中所述導電薄膜在圍繞具有10毫米直徑的棒彎曲180°之后具有這樣的電導率:其為在所述彎曲前的電導率的80%-100%。
5.權利要求1的導電薄膜,其中所述層狀晶體結構屬于六方晶系并且具有空間群
6.權利要求1的導電薄膜,其中所述化合物為單晶的。
7.權利要求1的導電薄膜,其中所述導電薄膜包括多個包含化學式1的化合物的納米片,和其中所述納米片彼此接觸以提供電連接。
8.電子器件,其包括權利要求1-7中任一項的導電薄膜。
9.權利要求8的電子器件,其中所述電子器件為平板顯示器、觸摸屏面板、太陽能電池、電子視窗、電致變色鏡、熱鏡、透明晶體管、或者柔性顯示器。
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