[發(fā)明專利]一種基于中子平均能量的次臨界系統(tǒng)次臨界度測量方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510274557.9
• 申請日: 2015-05-26
• 公開（公告）號: CN104898155B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設計）人: 楊英坤;常博;劉超;孫燕婷;張振宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: G01T3/00
• 分類號: G01T3/00
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司11251
• 代理人: 楊學明,顧煒

1.一種基于中子平均能量的次臨界系統(tǒng)次臨界度測量方法，所述該次臨界系統(tǒng)為帶外源中子的加速器驅動次臨界系統(tǒng)，其特征在于：所述方法包括以下步驟：

步驟(101)、通過程序計算或替代燃料的實驗，得到堆芯中單個或多個位置P處的外源中子平均能量E_s,ave；

步驟(102)、通過程序計算或臨界實驗，得到上述步驟中位置P處的裂變中子平均能量E_f,ave；

步驟(103)、通過程序計算，得到外源中子相對于裂變中子的中子價值

步驟(104)、在次臨界系統(tǒng)運行過程中，測量得到上述步驟中P處位置所有中子的平均能量，通過以下關系式得到系統(tǒng)源有效增殖因子k_s：

ks=Es,ave-EaveEs,ave-Ef,ave]]>

其中，E_ave為整個堆芯內(nèi)所有中子的平均能量；

步驟(105)、在得到源有效增殖因子k_s之后，由以下關系式得到待測次臨界度k_eff：

2.根據(jù)權利要求1所述的基于中子平均能量的次臨界系統(tǒng)次臨界度測量方法，其特征在于：其所需參數(shù)E_s,ave、E_f,ave、未知情況下，通過如下步驟完成次臨界度測量：

步驟一、多次改變次臨界系統(tǒng)的狀態(tài)，測量得到這些狀態(tài)下探測器位置處的中子平均能量；

步驟二、對于上述步驟一中的次臨界狀態(tài)，通過其它測量手段得到對應的次臨界度；

步驟三、將上述步驟一、二中一系列次臨界狀態(tài)的中子平均能量與次臨界度建立刻度曲線；

步驟四、對任一次待測臨界狀態(tài)，測量得到探測器位置處的中子平均能量，之后利用上述步驟三中的刻度曲線得到系統(tǒng)的次臨界度值。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的基于中子平均能量的次臨界系統(tǒng)次臨界度測量方法，其特征在于：在計算或測量中子平均能量時，統(tǒng)計的中子可選擇所有能量的中子或是僅選擇高能量段即大于等于7MeV中子并獲得不同測量精度。