[發(fā)明專利]一種倒裝焊接芯片及其焊接方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510272981.X | 申請(qǐng)日: | 2015-05-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104993040B | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王孟源;朱思遠(yuǎn);董挺波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佛山市中昊光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/62 | 分類號(hào): | H01L33/62;H01L21/60 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202 | 代理人: | 胡楓 |
| 地址: | 528200 廣東省佛山市南海區(qū)獅*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 倒裝 焊接 芯片 及其 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種倒裝焊接芯片及其焊接方法。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體業(yè)的迅速發(fā)展, 封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍日益廣泛,封裝形式更趨多樣化。其中,覆晶技術(shù)(Flip-Chip),也 稱“倒晶封裝”或“倒晶封裝法”,其既是一種芯片互連技術(shù),又是一種理想的芯片粘接技術(shù)。 覆晶技術(shù)支持的LED光源與傳統(tǒng)封裝光源相比,具有熱阻低,電壓低,大電流密度光效高的特點(diǎn),綜合研究表明覆晶LED光源在應(yīng)用上有其獨(dú)特的潛力和優(yōu)勢(shì)。具體地,覆晶技術(shù)是在LED芯片上沉積錫膏球,然后將LED芯片翻轉(zhuǎn)加熱利用熔融的錫膏球與基板相結(jié)合,形成穩(wěn)定可靠的機(jī)械、電氣連接。
如圖1所示,LED芯片的正負(fù)極在同一面,為求最高效能與避免正負(fù)極短路故障,在基板線路設(shè)計(jì)時(shí)需考慮芯片固晶位置;在線路設(shè)計(jì)時(shí),為避免相鄰芯片固晶錫膏互相沾黏,需考慮LED芯片的相距位置。采用現(xiàn)有的覆晶技術(shù)焊接的LED芯片時(shí),需在每個(gè)固晶焊盤位置分別點(diǎn)上錫膏,精度要求高;需準(zhǔn)確控制焊接溫度,避免錫膏中的助焊劑揮發(fā)過快,使汽化后的助焊劑殘留在熔融的錫膏中未能排出,導(dǎo)致固晶后錫膏孔洞率過高;需嚴(yán)格控制錫膏的顆粒大小,防止助焊劑殘留于錫膏顆粒間的空隙內(nèi),使固晶后錫膏孔洞率過高;需精確控制錫膏的量,使錫膏厚度在0.4-0.6mm之間,錫球直徑略小于芯片焊盤面積,兩邊錫膏量與大小一致,避免后續(xù)熔接時(shí),因錫膏融化收縮推擠,造成芯片傾斜或位置飄移;需精確控制錫膏點(diǎn)的位置,使錫膏點(diǎn)間距稍大于芯片焊盤間距,避免因錫膏過量或錫膏點(diǎn)位置過于接近,使倒裝正負(fù)極兩端的錫膏在熔融時(shí),受芯片擠壓后往兩邊擴(kuò)張,正負(fù)極兩端連接,產(chǎn)生短路,影響倒裝焊接芯片的使用效果。
因此,采用現(xiàn)有的覆晶技術(shù)焊接的芯片對(duì)加工精度的要求極高,生產(chǎn)效率低下,產(chǎn)品良率低,已無法滿足實(shí)際生產(chǎn)的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種精度要求低、良率高的倒裝焊接芯片的焊接方法,可大幅提高生產(chǎn)效率。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還在于,提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、焊接性好的倒裝焊接芯片。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種倒裝焊接芯片的焊接方法,包括:在基板的焊盤上涂敷共晶焊料;在涂敷有共晶焊料的焊盤上涂敷助焊劑;將LED芯片倒裝于焊盤上;使焊盤上的共晶焊料熔解,并與LED芯片電性相連。
作為上述方案的改進(jìn),所述在涂敷有共晶焊料的焊盤上涂敷助焊劑的方法包括:在每一涂敷有共晶焊料的焊盤上分別涂敷助焊劑,每一焊盤被單獨(dú)的助焊劑所包覆。
作為上述方案的改進(jìn),所述在涂敷有共晶焊料的焊盤上涂敷助焊劑的方法還包括:將相鄰的兩個(gè)正負(fù)極焊盤劃分為一組,在每組正負(fù)極焊盤上涂敷助焊劑,使正負(fù)極焊盤被同一層助焊劑所包覆。
作為上述方案的改進(jìn),所述共晶焊料為錫。
作為上述方案的改進(jìn),所述共晶焊料通過噴錫工藝涂敷于焊盤上。
作為上述方案的改進(jìn),所述噴錫工藝為水平噴錫。
作為上述方案的改進(jìn),噴錫間距最小為75um。
作為上述方案的改進(jìn),所述共晶焊料的厚度為2.5~25微米。
作為上述方案的改進(jìn),所述焊盤為銅焊盤。
相應(yīng)地,本發(fā)明還提供了一種倒裝焊接芯片,其由上述的焊接方法制得。
實(shí)施本發(fā)明,具有如下有益效果:
本發(fā)明通過將共晶焊料預(yù)先涂敷于焊盤上,倒裝焊接時(shí),再在涂敷有共晶焊料的焊盤上涂敷助焊劑,替換了現(xiàn)有技術(shù)中涂敷錫膏的步驟。
其中,共晶焊料通過水平噴錫工藝預(yù)先固定于焊盤上,使在后續(xù)的熔接時(shí),共晶焊料不會(huì)產(chǎn)生大幅度的收縮推擠,可有效避免LED芯片傾斜、位置飄移、正負(fù)極兩端連接、短路等情況,保證倒裝焊接芯片的使用效果。
同時(shí),共晶焊料與助焊劑分別涂敷,可避免共晶焊料與助焊劑的混合,對(duì)助焊劑的用量、位置及焊接溫度的控制精確降低。具體地,可避免因錫膏的顆粒過大,使助焊劑殘留于錫膏顆粒間的空隙內(nèi),造成的錫膏孔洞率過高;還可避免錫膏中的助焊劑揮發(fā)過快,使汽化后的助焊劑殘留在熔融的錫膏中未能排出,造成的錫膏孔洞率過高。
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