[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦薄膜及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510272652.5 | 申請(qǐng)日: | 2015-05-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104979494A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-10-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚占鰲;李聰;郭強(qiáng);喬文遠(yuǎn);程泰;王福芝;戴松元 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華北電力大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/56 | 分類號(hào): | H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
| 地址: | 102206 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 薄膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,使用醋酸鉛作為鉛源,通過(guò)一步溶液法加工,將醋酸鉛與CH3NH3I的混合液作為前驅(qū)體溶液旋涂,經(jīng)熱處理得到鈣鈦礦薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述混合液溶液旋涂在空穴傳輸層上,所述熱處理包括:熱退火,然后結(jié)晶成致密連續(xù)的鈣鈦礦薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述前驅(qū)體溶液的溶劑為極性溶劑,所述溶劑為N,N二甲基甲酰胺、γ-丁內(nèi)酯、二甲基乙酰胺中的一種或幾種的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述醋酸鉛與CH3NH3I的摩爾比為1:3;所述前驅(qū)體溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%-40%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述旋涂時(shí)的轉(zhuǎn)速為4000-8000rpm;時(shí)間為60s-120s。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述旋涂的時(shí)間為90s。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述熱退火在80-120℃下進(jìn)行;所述熱退火的時(shí)間為10-40min。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述熱退火在100℃下進(jìn)行;所述熱退火的時(shí)間為20min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的制備方法得到的鈣鈦礦薄膜。
10.一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,結(jié)構(gòu)為p-i-n型或n-i-p型,其特征在于,所述鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的鈣鈦礦薄膜是按照權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的制備方法得到的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
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