[發明專利]一種超高深寬比的超結制造方法

有效

• 申請號: 201510271797.3
• 申請日: 2015-05-25
• 公開（公告）號: CN104966729B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 甘朝陽;江斌;盧爍今;朱陽軍
• 申請（專利權）人: 江蘇物聯網研究發展中心;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/66
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;張濤

1.一種超高深寬比的超結制造方法，其特征是，所述超結制造方法包括如下步驟：

（a）、提供第一導電類型的襯底晶圓，并在所述第一導電類型襯底晶圓上淀積第二導電類型導電層，所述第二導電類型導電層全覆蓋在襯底晶圓上；

（b）、在上述襯底晶圓上淀積第一導電類型導電層，所述淀積的第一導電類型導電層覆蓋在第二導電類型導電層；

（c）、在上述襯底晶圓上重復淀積第一導電類型導電層以及第二導電類型導電層，以在襯底晶圓上得到若干第一導電類型導電層與第二導電類型導電層交替分布的PN柱；

（d）、將上述形成的由PN柱構成的晶柱橫向放置，從晶柱上頂點水平切，再研磨，切割得到平面a，以此平面a為基準面，在平面a與晶柱面交界處垂直向下切除；

（e）、將其背面切去，再研磨，形成了a平面為正方形的長方體；

（f）、以此長方體的中軸線為中心，研磨出圓柱體；

（g）、將研磨出圓柱體切割成晶圓片；

（h）、在晶圓片的正面淀積N型硅材料，然后按照正面結構進行工藝加工，背面淀積N型材料，進行背面工藝加工。

2.根據權利要求1所述的超高深寬比的超結制造方法，其特征是：所述第一導電類型導電層的厚度與第二導電類型導電層的厚度相等，且第一導電類型導電層的摻雜濃度與第二導電類型導電層的摻雜濃度相同。