[發(fā)明專利]排放控制系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510271559.2
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號: CN105032146B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設計）人: 蘭德爾P·莫爾;凱文·杰克遜;斯蒂芬·巴洛格;鮑比I.T.·陳;波拉尼A.C.·哈雷;約翰·艾德
• 申請（專利權(quán)）人: 沙文環(huán)境與基礎設施有限公司
• 主分類號: B01D53/78
• 分類號: B01D53/78;B01D53/64
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 陸嘉

本申請是提交于2012年2月1日，申請?zhí)枮?01280014466.6，題為“排放控制系統(tǒng)”的專利申請的分案申請。本申請要求于2011年2月1日提交且發(fā)明名稱為“排放控制系統(tǒng)”的第61/438,404號臨時申請的權(quán)益。本申請要求于2011年8月26日提交且發(fā)明名稱為“HBr處理”的第61/527,949號臨時申請的權(quán)益。

技術(shù)領域

無

背景技術(shù)

無

發(fā)明內(nèi)容

如本文所使用，對HBr注入濃度的引用被寫成HBr占干煙道氣體積的百萬分率(ppmvd)。ppmvd濃度的表示法僅表示氣相濃度，包括氣體中夾帶的成分，但不包括氣體中不夾帶的任何成分。因此，附在氣體夾帶的飛灰上的HBr(或活性溴)將被包括在HBrppmvd數(shù)量中，而附在導管壁上的飛灰中的HBr將不被包括在內(nèi)。因此，為達成本披露的目的，以ppmvd為單位的HBr濃度表示法把與被夾帶的飛灰或其他被夾帶的顆粒物質(zhì)結(jié)合的任何HBr當作處在蒸汽相來計算。在注入其他化合物或氣體不是煙道氣的情況下，ppmvd的計算仍然相同。如本文中所使用，用單位μg/m³表示的氣體濃度表示在標準條件68℉和14.696psi下的濃度。

本文所述的用于處理汞污染氣體的方法可以包括(例如)將從HBr與HI中選擇的鹵化氫引入含有一定量的顆粒物質(zhì)的汞污染氣流中，其引入速率足以產(chǎn)生至少0.1ppmvd的濃度；其中在所述汞污染氣流中，全部顆粒物質(zhì)中超過50％為原生顆粒物質(zhì)；使一定量的活性溴與所述原生顆粒物質(zhì)接觸；生成摻雜顆粒物質(zhì)；用所述摻雜顆粒物質(zhì)覆蓋過濾介質(zhì)；以及使一部分所述汞污染氣流通過所述過濾介質(zhì)上的所述摻雜顆粒物質(zhì)。在一種相關方法中，從HBr與HI中選擇的所述鹵化氫為HBr。在一種相關方法中，從HBr與HI中選擇的鹵化氫的所述引入過程可能發(fā)生在所述汞污染氣流低于750℉時。在一種相關方法中，從HBr與HI中選擇的鹵化氫的所述引入過程發(fā)生在所述汞污染氣流高于180℉時。在另一種相關方法中，所述汞污染氣流為煤的燃燒的副產(chǎn)物，所述煤的氯含量按重量計小于300ppm且汞含量按重量計大于50ppb。在又一種相關方法中，從HBr與HI中選擇的鹵化氫的所述引入過程的引入速率所產(chǎn)生的濃度最大為15ppmvd。

本文所述的用于處理汞污染氣體的方法可以包括(例如)將稀釋HBr水溶液引入含有一定量的顆粒物質(zhì)的汞污染氣流中，其HBr引入速率足以產(chǎn)生至少0.1ppmvd的HBr濃度；使一定量的活性溴與一部分所述一定量的顆粒物質(zhì)接觸；由所述一定量的活性溴與所述一定量的顆粒物質(zhì)生成摻雜顆粒物質(zhì)；以及產(chǎn)生靜電力從而將超過50％的所述摻雜顆粒物質(zhì)從所述汞污染氣流中去除。在一種相關方法中，在所述摻雜顆粒物質(zhì)上收集汞。在另一種相關方法中，在靜電除塵器中產(chǎn)生所述靜電力。在又一種相關方法中，稀釋HBr水溶液的所述引入過程的引入速率所產(chǎn)生的HBr濃度最大為10ppmvd。

本文所述的用于處理汞污染氣體的方法可以包括(例如)將汞污染氣體引入導管；其中所述導管包含易受HBr影響材料；其中所述汞污染氣體具有初始汞量；其中所述導管具有內(nèi)表面；將一定量的稀釋HBr水溶液注入所述導管中；其中所述一定量的稀釋HBr水溶液的所述注入是通過多個噴嘴進行，其HBr注入速率足以產(chǎn)生至少0.1ppmvd的HBr濃度；其中所述多個噴嘴的噴霧圖案覆蓋了所述導管的大部分截面；其中HBr水溶液沒有大量積累在所述內(nèi)表面上；以及使所述汞污染氣體與介質(zhì)接觸，由此將至少50％的所述初始汞量從所述汞污染氣體中去除。在一種相關方法中，所述一定量的稀釋HBr水溶液的所述注入過程發(fā)生在所述汞污染氣體處在180℉與750℉之間時。在另一種相關方法中，所述一定量的稀釋HBr水溶液的所述注入過程發(fā)生在所述汞污染氣體處在180℉與750℉之間時。在又一種相關方法中，所述多個噴嘴為多個雙路流體噴嘴，且所述稀釋HBr水溶液的HBr濃度大于0.25％。在再另一種相關方法中，所述一定量的稀釋HBr水溶液的所述注入是通過多個噴嘴進行，其HBr注入速率產(chǎn)生的HBr濃度最大為10ppmvd。