[發明專利]一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201510270578.3 | 申請日： | 2015-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN104805411B | 公開（公告）日： | 2017-10-03 |
| 發明（設計）人： | 陳支勇;潘清濤;欒曉波;程金樹;袁堅;王芮;秦偉 | 申請（專利權）人： | 河北省沙河玻璃技術研究院 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 石家莊元匯專利代理事務所(特殊普通合伙)13115 | 代理人： | 劉聞鐸 |
| 地址： | 054100 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 溫熱 變色 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟：
A.將反應沉積腔抽至本底真空，再分別通入氧氣和氬氣，氧分壓為0-90％，使工作壓力為0.1-3.0Pa，基片溫度為20-25℃，以高純金屬釩為靶材，采用直流反應磁控濺射技術，在襯底基片上生長五氧化二釩層；
B.將襯底升溫至400-500℃，同時繼續通入氧氣和氬氣，氧分壓為10％-90％，使工作壓力為0.1-1.0Pa，以高純金屬鈦為靶材，采用直流反應磁控濺射技術，誘導濺射生長金紅石二氧化鈦層；
C.在還原氣氛或惰性氣氛環境中，進行退火，即得到基片/金紅石二氧化鈦/金紅石二氧化釩熱致變色薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A所述襯底基片為玻璃。
3.根據權利要求1所述的一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A所述本底真空的真空度為1-3×10﹣4Pa。
4.根據權利要求1所述的一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A所述五氧化二釩層的厚度為50-120nm。
5.根據權利要求1所述的一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A所述氧氣的純度為99.99％，氬氣的純度為99.99％。
6.根據權利要求1所述的一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A所述高純金屬釩的純度為99.99％，步驟B所述高純金屬鈦的純度為99.99％。
7.根據權利要求1所述的一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A和B所述直流反應磁控濺射的功率密度為3-5W/cm2。
8.根據權利要求1所述的一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟B所述金紅石二氧化鈦層的厚度為50-200nm。
9.根據權利要求1所述的一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟C所述還原氣氛為氫氣和氬氣的混合氣體，所述惰性氣氛為氮氣或/和氬氣氣體。
10.根據權利要求1所述的一種二氧化釩低溫熱致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟C所述退火的溫度為400-700℃，退火的時間為1-2小時。
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