[發(fā)明專利]后側(cè)沉積裝置和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510266980.4
• 申請日: 2015-05-22
• 公開（公告）號: CN105088177B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金潤相;考斯克·查托帕亞;格雷戈瑞·塞克斯頓;洪延姬
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/44;H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 樊英如;李獻(xiàn)忠

1.一種在襯底的后側(cè)上沉積膜的方法，該方法包括：

在所述襯底的所述后側(cè)上沉積所述膜之前，通過由蝕刻、沉積、離子注入、等離子體清潔以及濕式清潔所構(gòu)成的組中的一個或者多個處理對所述襯底的前側(cè)進(jìn)一步處理，其中所述襯底的所述前側(cè)包括包含前側(cè)沉積材料的活性區(qū)域，并且其中，處理所述襯底的所述前側(cè)致使在所述襯底的所述后側(cè)上形成顆粒；

提供所述襯底給沉積反應(yīng)器；

將所述襯底固定在所述沉積反應(yīng)器內(nèi)，使得位于所述襯底的所述前側(cè)的所述活性區(qū)域不會接觸到所述沉積反應(yīng)器的任意部分；

將所述膜沉積在所述襯底的所述后側(cè)上而不在所述襯底的所述前側(cè)上沉積膜，其中沉積在所述襯底的所述后側(cè)上的所述膜為犧牲層，并且其中執(zhí)行在所述襯底的所述后側(cè)上沉積所述膜，使得在所述襯底的所述后側(cè)上的所述顆粒由所述膜覆蓋；

當(dāng)所述膜出現(xiàn)在所述襯底的所述后側(cè)上時(shí)執(zhí)行光刻；以及

在執(zhí)行光刻之后從所述襯底的所述后側(cè)去除所述膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述襯底固定在所述沉積反應(yīng)器內(nèi)包括將所述襯底加載到所述沉積反應(yīng)器內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)之內(nèi)或者之上，其中加載所述襯底以使得在所述襯底的所述前側(cè)上的所述活性區(qū)域暴露于前側(cè)間隔并且所述襯底的所述后側(cè)暴露于沉積區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括使惰性氣體流過所述前側(cè)間隔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積在所述襯底的所述后側(cè)上的所述膜為電介質(zhì)膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述前側(cè)沉積材料使得所述襯底彎曲，并且其中在所述襯底的所述后側(cè)上沉積所述膜包括將所述膜沉積到足以使所述襯底的所述彎曲減小到150μm或者更小的彎曲高度的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，沉積在所述襯底的所述后側(cè)上的所述膜的厚度為小于2μm，并且低于所述前側(cè)沉積材料的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述襯底被固定在所述沉積反應(yīng)器內(nèi)，使得所述襯底的整個所述前側(cè)不會接觸到所述沉積反應(yīng)器的任意部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述襯底為局部制造的3D-NAND設(shè)備。

9.一種用于在襯底的后側(cè)上沉積膜的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：

沉積裝置，所述沉積裝置包括：

反應(yīng)室；

所述反應(yīng)室內(nèi)的襯底支撐機(jī)構(gòu)，其配置成在沉積期間將所述襯底支撐在其周邊或者在其周邊附近，使得所述襯底的前側(cè)上的活性區(qū)域不會接觸到所述反應(yīng)室的任意部分，并且使得所述襯底的所述后側(cè)暴露；

沉積區(qū)域，其通過現(xiàn)有的所述襯底的后側(cè)被限定在一側(cè)；

前側(cè)間隔，其通過現(xiàn)有的所述襯底的所述前側(cè)被限定在一側(cè)；

頂側(cè)進(jìn)口，其用于提供氣體到所述前側(cè)間隔；以及

沉積區(qū)域進(jìn)口，其用于提供氣體到所述沉積區(qū)域；

光刻工具；以及

控制器，其配置為致使：

在所述反應(yīng)室中接收所述襯底，所述襯底包括后側(cè)和前側(cè)，所述后側(cè)包括顆粒并且所述前側(cè)包括包含前側(cè)沉積材料的活性區(qū)域；

將所述襯底固定在所述沉積反應(yīng)器內(nèi)，使得位于所述襯底的所述前側(cè)的所述活性區(qū)域不會接觸到所述沉積反應(yīng)器的任意部分；

將所述膜沉積在所述襯底的所述后側(cè)上而不在所述襯底的所述前側(cè)上沉積膜，沉積在所述襯底的所述后側(cè)上的所述膜為犧牲層，并且其中執(zhí)行在所述襯底的所述后側(cè)上沉積所述膜，使得在所述襯底的所述后側(cè)上的所述顆粒由所述膜覆蓋；

當(dāng)所述膜出現(xiàn)在所述襯底的所述后側(cè)上時(shí)在所述光刻工具中在所述襯底上執(zhí)行光刻；以及

在執(zhí)行光刻之后從所述襯底的所述后側(cè)去除所述膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述前側(cè)間隔具有0.5mm或者更小的高度。