[發明專利]聲波裝置

有效

• 申請號: 201510263359.2
• 申請日: 2015-05-21
• 公開（公告）號: CN105099389B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 堤潤
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/145
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

一種聲波裝置包括：IDT，其設置在壓電基板上；格柵，其設置在IDT的兩側，其中：聲波的逆速度面具有凹型；所述格柵的電極指的占空比大于IDT的電極指的占空比，或者所述格柵的電極指的厚度大于IDT的電極指的厚度，或者設置在格柵的電極指上的附加膜的厚度大于設置在IDT的電極指上的附加膜的厚度；所述格柵的電極指的節距小于IDT的電極指的節距；所述格柵的諧振頻率與IDT的諧振頻率基本上相同。

技術領域

本發明的某個方面涉及聲波裝置，特別地，涉及具有IDT的聲波裝置。

背景技術

近來，在以智能電話或移動電話為代表的移動通信裝置中發展了高性能。例如，操縱從第三代系統快速轉變成LTE(長期演進)。在LTE中，以較高速度執行大容量的數據通信。因此，高頻分量所要求的規格變高。正要求的是使用聲波裝置減少濾波器或雙工器的插入損耗。存在諸如表面聲波裝置的在壓電基板上設置IDT(叉指換能器)的聲波裝置作為移動通信裝置等中使用的聲波裝置。

日本專利申請公開No.2000-341073、No.2003-87083、No.2008-113273、No.11-298286和No.2013-518455公開了在表面聲波裝置中的IDT的開口方向上的IDT兩側設置格柵。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種聲波裝置，所述聲波裝置包括：IDT，其設置在壓電基板上并且激發聲波；格柵，其設置在IDT的開口方向上的IDT的兩側，其中：在IDT的電極指彼此交叉的區域中在主傳播方向上的聲波的逆速度面(slowness surface)具有凹型；所述格柵的電極指的占空比大于IDT的電極指的占空比，或者所述格柵的電極指的厚度大于IDT的電極指的厚度，或者設置在格柵的電極指上的附加膜的厚度大于設置在IDT的電極指上的附加膜的厚度；所述格柵的電極指的節距小于IDT的電極指的節距；所述格柵的諧振頻率與IDT的諧振頻率基本上相同。

根據本發明的一方面，提供了一種聲波裝置，所述聲波裝置包括：IDT，其設置在壓電基板上并且激發聲波；格柵，其設置在IDT的開口方向上的IDT的兩側，其中：在IDT的電極指彼此交叉的區域中在主傳播方向上的聲波的逆速度面具有凹型；所述格柵的電極指的占空比大于IDT的電極指的占空比，或者所述格柵的電極指的厚度大于IDT的電極指的厚度，或者設置在格柵的電極指上的附加膜的厚度大于設置在IDT的電極指上的附加膜的厚度；所述格柵的電極指的節距小于IDT的電極指的節距；所述格柵的電極指和IDT的電極指借助彎曲區域彼此連接。

根據本發明的一方面，提供了一種聲波裝置，所述聲波裝置包括：IDT，其設置在壓電基板上并且激發聲波；格柵，其設置在IDT的開口方向上的IDT的兩側，其中：在IDT的電極指彼此交叉的區域中在主傳播方向上的聲波的逆速度面具有凹型；所述格柵的電極指的占空比大于IDT的電極指的占空比，或者所述格柵的電極指的厚度大于IDT的電極指的厚度，或者設置在格柵的電極指上的附加膜的厚度大于設置在IDT的電極指上的附加膜的厚度；所述格柵的電極指相對于所述開口方向傾斜。

根據本發明的一方面，提供了一種聲波裝置，所述聲波裝置包括：IDT，其設置在壓電基板上并且激發聲波；格柵，其設置在IDT的開口方向上的IDT的兩側，其中：在IDT的電極指彼此交叉的區域中在主傳播方向上的聲波的逆速度面具有凸型；所述格柵的電極指的占空比小于IDT的電極指的占空比，或者所述格柵的電極指的厚度小于IDT的電極指的厚度，或者設置在格柵的電極指上的附加膜的厚度小于設置在IDT的電極指上的附加膜的厚度；所述格柵的電極指的節距大于IDT的電極指的節距；所述格柵的諧振頻率與IDT的諧振頻率基本上相同。