[發明專利]Pd?SnO2氧化物半導體一氧化碳傳感器有效
| 申請號: | 201510260703.2 | 申請日: | 2015-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN104880490B | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發明(設計)人: | 王慶吉;魏慶麗;韓思雨 | 申請(專利權)人: | 吉林大學 |
| 主分類號: | G01N27/04 | 分類號: | G01N27/04 |
| 代理公司: | 長春市四環專利事務所(普通合伙)22103 | 代理人: | 郭耀輝 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | pd sno sub 氧化物 半導體 一氧化碳 傳感器 制備 應用 | ||
1.一種基于Pd-SnO2敏感材料的一氧化碳氣體傳感器,由外表面帶有2個環形金電極(5)的Al2O3絕緣陶瓷管(1)、涂覆在環形金電極(5)和Al2O3絕緣陶瓷管(1)外表面的半導體敏感材料(2)、穿過Al2O3絕緣陶瓷管(1)內部的鎳鎘合金加熱線圈(3)和用于導電的鉑線(4)組成,其特征在于:外表面的敏感材料(2)為Pd-SnO2氧化物半導體敏感材料,其由如下步驟制備得到,
(1)首先將0.025g PdCl2和一定量的乙二胺配制 成2mL水溶液;
(2)將0.9g SnCl2.2H2O、2.94g Na3C6H5O7.2H2O攪拌的情況下溶于10mL水,將(1)中2mL水溶液加入繼續攪拌形成勻質溶液,然后將10mL 0.2M NaOH水溶液逐滴加入后再攪拌5分鐘;
(3)將(2)混合溶液放入100mL聚四氟乙烯釜中密封,放入微波水熱系統,微波參數設置如下:最大功率300W,首先10分鐘加熱到180℃,恒溫180℃保持1小時,結束后自然降溫到室溫,將樣品收集用乙醇和去離子水離心后放到培養皿中80℃幾個小時,收集樣品,將上述樣品在500℃下煅燒2小時,得到氣體敏感材料;
(4)將Pd-SnO2敏感材料與去離子水混合成糊狀,涂覆在環形金電極(5)和Al2O3絕緣陶瓷管(1)外表面,形成10~40微米的敏感材料(2)薄膜,陶瓷管的長為4~4.5mm,外徑為1.2~1.5mm,內徑為0.8~1.0mm,并使敏感材料完全覆蓋環形金電極(5);
(5)在紅外燈下烘烤15分鐘,待敏感材料干燥后,把Al2O3絕緣陶瓷管(1)在500℃下煅燒2小時;然后將電阻值為30~40Ω的鎳鎘加熱線圈(3)穿過Al2O3絕緣陶瓷管(1)內部作為加熱絲,最后將制得的器件按照通用旁熱式氣敏元件進行焊接和封裝,從而得到Pd-SnO2氧化物半導體一氧化碳傳感器。
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