[發明專利]層疊陶瓷電容器

有效

• 申請號: 201510249737.1
• 申請日: 2015-05-15
• 公開（公告）號: CN105097283B
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發明（設計）人: 增成晃生;神崎泰介
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12;H01G4/005
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 薛凱

技術領域

本發明涉及層疊陶瓷電容器。

背景技術

近年來，伴隨電子部件的小型化以及高功能化，層疊陶瓷電容器謀求小型化以及高容量化。這樣的層疊陶瓷電容器例如具有：陶瓷坯體，其在交替重疊內層用陶瓷層和內部電極而成的層疊體的上表面和下表面配設外層用陶瓷層來形成為長方體狀；和外部電極，其形成在該陶瓷坯體的兩端面。

為了實現層疊陶瓷電容器的小型化以及高容量化，需要使內層用陶瓷層(電介質陶瓷層)以及內部電極盡可能薄層化以及多層疊化。但是，在使電介質陶瓷層以及內部電極薄層化以及高層疊化的層疊陶瓷電容器中，由于若進一步使電介質陶瓷層薄層化，內部電極間的絕緣電阻就會降低，從而可靠性降低，因此有難以兼顧薄層化以及高層疊化和可靠性的確保的課題。

為此，在特許第3334607號中，針對考慮了在內部電極間薄層化的電介質陶瓷層的絕緣電阻的層疊陶瓷電容器，公開了用于構成電介質陶瓷層的電介質磁器組成物。該電介質磁器組成物在交替層疊以鈦酸鋇為主成分的電介質陶瓷層以及內部電極的陶瓷坯體中，具有以下的組成。電介質磁器組成物具有以{BaO}mTiO₂+αR₂O₃+βBaZrO₃+γMgO+gMnO(其中R₂O₃是從Eu₂O₃、Gd₂O₃、Tb₂O₃、Dy₂O₃、Ho₂O₃、Er₂O₃、Tm₂O₃、以及Yb₂O₃中選出的至少1個種類，α、β、γ以及g表征mol比，0.001≤α≤0.06、0.005≤β≤0.06、0.001＜γ≤0.12、0.001＜g≤0.12、γ+g≤0.13、1.000＜m≤1.035)表征的組成。

但是，在特許第3334607號所記載的層疊陶瓷電容器中的構成電介質陶瓷層的電介質磁器組成中，有在比電介質陶瓷層更薄層的區域(0.55μm以下)的層疊陶瓷電容器引起可靠性的大幅降低這樣的問題。

發明內容

本發明的主要目的在于，提供謀求層疊陶瓷電容器中的電介質陶瓷層的進一步薄層化并抑制絕緣電阻的降低從而具備可靠性的層疊陶瓷電容器。

本發明所涉及的層疊陶瓷電容器包含陶瓷坯體和外部電極，其中所述陶瓷坯體以第1端面和與第1端面對置的第2端面、與第1端面以及第2端面正交的第1側面和第2側面、與第1端面以及第1側面正交的第1主面和第2主面構成為長方體狀，該陶瓷坯體由多個電介質陶瓷層、和在將第1主面和第2主面相連的方向上隔著電介質陶瓷層層狀重合而形成的內部電極，所述外部電極設置在陶瓷坯體的第1端面以及第2端面，層疊陶瓷電容器的特征在于，內部電極具備第1內部電極和第2內部電極，將第1內部電極和第2內部電極分別交替地引出到第1端面和第2端面并與外部電極連接，在陶瓷坯體中，將夾在配置于最靠主面側的內部電極間的區域作為內層部，將配置在內層部的主面側的電介質陶瓷層作為外層部，內層部的電介質陶瓷層以含有Ba以及Ti的鈣鈦礦型化合物為主成分，Mg的含有量相對于Ti：100mol份為0mol份以上0.4mol份以下，內層部的電介質陶瓷層的厚度為0.55μm以下。

另外，在本發明所涉及的層疊陶瓷電容器中，若將從層疊方向觀察陶瓷坯體而不存在第1內部電極和第2內部電極的區域設為側邊部，則側邊部中的Mg的含有量相對于Ti：100mol份為0.5mol份以上5.0mol份以下。

根據本發明所涉及的層疊陶瓷電容器，提供一種在電介質陶瓷層所含有的Mg的量相對于Ti：100mol份為0mol以上0.4mol以下，內層部的電介質陶瓷層的厚度為0.55μm以下的情況下，能耐受絕緣電阻的劣化、還能應對電介質陶瓷層的進一步的薄層化的可靠性膏的層疊陶瓷電容器，

另外，在Mg的含有量極端低的情況下，特別是0.55μm以下的薄層區域，由于內部電極端部間的距離變近，因此變得易于出現短路而引起短路不良，但若使側邊部中的Mg的含有量相對于Ti：100mol份為0.5mol份以上5.0mol份以下，則由于能在內部電極的端部形成異層，因此能有效果地抑制在內部電極端部出現的短路所引起的短路不良。