[發(fā)明專利]一種定向生長(zhǎng)納米孿晶銅的通孔填充方法及其應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510249314.X | 申請(qǐng)日： | 2015-05-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106298634A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉志權(quán);孫福龍;李財(cái)富 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/768 | 分類號(hào)： | H01L21/768;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司21002 | 代理人： | 許宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110016 遼*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 定向 生長(zhǎng) 納米 孿晶銅 填充 方法 及其 應(yīng)用 | ||
【說(shuō)明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
