[發(fā)明專利]一種改善不同晶片之間有源區(qū)關(guān)鍵尺寸差異的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510249102.1
• 申請日: 2015-05-15
• 公開（公告）號: CN104992928B
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐友峰;宋振偉;陳晉;李翔
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,陳慧弘

1.一種改善不同晶片之間有源區(qū)關(guān)鍵尺寸差異的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：提供經(jīng)光刻、干刻及光阻去除步驟后有源區(qū)圖形通過溝槽定義好的若干晶片，對各所述晶片的有源區(qū)關(guān)鍵尺寸進(jìn)行量測，得到不同晶片有源區(qū)關(guān)鍵尺寸的初始值；

步驟S02：將得到的不同晶片有源區(qū)關(guān)鍵尺寸初始值與一目標(biāo)值進(jìn)行比較，得到兩者之間的差值，其中，所述目標(biāo)值設(shè)定為小于各初始值中的最小值；

步驟S03：根據(jù)所述差值建立針對不同晶片的處理程式，然后，逐一對各所述晶片進(jìn)行處理：先通過濕法刻蝕工藝去除晶片溝槽側(cè)壁的自然氧化層，再對晶片進(jìn)行氧化工藝，使晶片溝槽側(cè)壁重新生成一氧化層；

步驟S04：根據(jù)所述處理程式，對每個所述晶片重復(fù)步驟S03的處理過程，直至各所述晶片有源區(qū)關(guān)鍵尺寸的處理終值與所述目標(biāo)值相符合；

其中，利用一整合有光學(xué)特征尺寸量測單元的單片清洗機(jī)臺，通過光學(xué)特征尺寸量測單元量測各所述晶片有源區(qū)關(guān)鍵尺寸，得到所述初始值，通過將所述初始值與單片清洗機(jī)臺的自動反饋系統(tǒng)中預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)值進(jìn)行比較，得到兩者之間的差值，并根據(jù)該差值，通過所述自動反饋系統(tǒng)給出相應(yīng)的濕法刻蝕和氧化工藝處理程式來處理晶片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善不同晶片之間有源區(qū)關(guān)鍵尺寸差異的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝中，采用DHF去除晶片溝槽側(cè)壁的自然氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善不同晶片之間有源區(qū)關(guān)鍵尺寸差異的方法，其特征在于，所述DHF中HF的含量為0.15～2％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善不同晶片之間有源區(qū)關(guān)鍵尺寸差異的方法，其特征在于，所述氧化工藝中，采用氧化性化學(xué)品來處理晶片，使晶片溝槽側(cè)壁重新生成氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善不同晶片之間有源區(qū)關(guān)鍵尺寸差異的方法，其特征在于，所述氧化性化學(xué)品為SPM或O₃DIW。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改善不同晶片之間有源區(qū)關(guān)鍵尺寸差異的方法，其特征在于，所述O₃DIW中O₃的濃度為2～20ppm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善不同晶片之間有源區(qū)關(guān)鍵尺寸差異的方法，其特征在于，設(shè)定的所述目標(biāo)值與初始值之間的最大差值不大于10nm。