[發(fā)明專利]晶片釋放有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510247246.3 | 申請(qǐng)日: | 2015-05-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105097636B | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M.布赫爾;C.邁爾;M.馬勒;P.施魏策;T.施泰納 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/687 | 分類號(hào): | H01L21/687 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;胡莉莉 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 釋放 | ||
1.一種用于操作晶片的卡盤系統(tǒng),所述晶片包括第一和第二主表面,所述卡盤系統(tǒng)包括:
卡盤,其被配置為在面向所述卡盤的所述第二主表面處夾持所述晶片;
釋放裝置;
致動(dòng)器,其被配置為將所述釋放裝置從所述卡盤抬離;其中,所述釋放裝置被配置為使得所述釋放裝置當(dāng)被抬升時(shí)在所述晶片的所述第二主表面的邊緣部分處與所述晶片機(jī)械地嚙合,由此從所述卡盤釋放所述晶片;
邊緣保護(hù)裝置,其被配置為保護(hù)所述第一主表面的邊緣部分免受所述卡盤的環(huán)境,并且被配置為在第一狀態(tài)與第二狀態(tài)之間移動(dòng),在所述第一狀態(tài)處,所述邊緣保護(hù)裝置覆蓋所述晶片的所述第一主表面的邊緣部分,在所述第二狀態(tài)處,所述邊緣保護(hù)裝置被從所述第一主表面的所述邊緣部分抬離;以及
抬升構(gòu)件,其用于承載所述邊緣保護(hù)裝置,所述抬升構(gòu)件包括鎖閂,其中,所述致動(dòng)器被配置為抬升所述抬升構(gòu)件以便抬升所述邊緣保護(hù)裝置并將所述邊緣保護(hù)裝置從所述第一狀態(tài)移動(dòng)到所述第二狀態(tài),并且繼續(xù)抬升所述抬升構(gòu)件從而使得所述鎖閂與所述釋放裝置嚙合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡盤系統(tǒng),其中,所述卡盤包括比所述晶片大的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡盤系統(tǒng),其中,所述釋放裝置被配置為在所述晶片的所述第二主表面的所述邊緣部分的多個(gè)離散區(qū)段處機(jī)械地嚙合所述晶片,其中,所述邊緣部分的所述離散區(qū)段被布置在從所述晶片的外圓周朝向所述晶片的中間延伸的小于所述晶片的大小的1/50的容許范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡盤系統(tǒng),其中,所述釋放裝置被配置為在所述晶片的所述邊緣部分的三個(gè)離散區(qū)段處機(jī)械地接觸所述晶片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡盤系統(tǒng),其中,所述釋放裝置被形成以便除了所述晶片的外圓周的一部分之外沿圓周包圍所述晶片,從而使得被配置為相對(duì)于所述卡盤系統(tǒng)插入或移除所述晶片的晶片輸送構(gòu)件使得能夠進(jìn)入所述晶片與所述卡盤之間由所述晶片從所述卡盤的釋放而導(dǎo)致的間隙,并將所述晶片馱背式運(yùn)輸?shù)剿隹ūP系統(tǒng)或者從所述卡盤系統(tǒng)馱背式運(yùn)輸所述晶片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡盤系統(tǒng),其中,所述釋放裝置包括除了所述晶片的外圓周的一部分之外沿圓周包圍所述晶片的框架區(qū),所述釋放裝置還包括從所述框架區(qū)向內(nèi)延伸的成型區(qū),所述成型區(qū)被配置為當(dāng)所述釋放裝置被抬升時(shí),在接觸區(qū)處提供與所述晶片的機(jī)械嚙合,其中,所述成型區(qū)在所述接觸區(qū)處的厚度小于所述框架區(qū)的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的卡盤系統(tǒng),其中,所述釋放裝置是C形的,并且被形成從而使得當(dāng)所述釋放裝置與所述晶片嚙合時(shí),所述晶片由所述釋放裝置橫向包圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡盤系統(tǒng),其中,所述釋放裝置被配置為在所述晶片面向所述卡盤的第二主表面處機(jī)械地嚙合所述晶片,其中,所接觸的邊緣部分覆蓋小于或等于所述晶片的所述第二主表面的表面積的10 %。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡盤系統(tǒng),其中,致動(dòng)單元致動(dòng)器被配置為沿與晶片法線平行的致動(dòng)方向線性地移動(dòng)所述釋放裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡盤系統(tǒng),其中,所述卡盤是被配置為當(dāng)電壓被施加至卡盤時(shí)通過靜電力夾持所述晶片的靜電卡盤。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





