[發(fā)明專利]用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置以及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510246813.3 | 申請日: | 2015-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN105092456B | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 南谷林太郎;串田則行;出野徹哉 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | G01N17/00 | 分類號: | G01N17/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人: | 金光華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬薄膜 腐蝕環(huán)境 通路構(gòu)造 監(jiān)控 腐蝕性物質(zhì) 開口部 電阻 侵入 腐蝕 電氣電子裝置 傳感器部 腐蝕區(qū)域 監(jiān)控期間 設(shè)置環(huán)境 配置 | ||
1.一種用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,具備:
傳感器部;
至少一個通路構(gòu)造,所述至少一個通路構(gòu)造的每個與所述傳感器部一起形成,以便控制空氣中的腐蝕性物質(zhì)的侵入;以及
金屬薄膜,包括在所述傳感器部中,并設(shè)置于所述至少一個通路構(gòu)造內(nèi),其中,
所述金屬薄膜的電阻值根據(jù)從所述通路構(gòu)造的開口部侵入的所述腐蝕性物質(zhì)所致的金屬薄膜的腐蝕區(qū)域的擴展而變化,
所述用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置被配置為測定所述金屬薄膜的電阻值,
所述金屬薄膜具有暴露于空氣的露出部,所述露出部具有矩形形狀,并且
所述金屬薄膜還具有未暴露于空氣的非露出部,所述非露出部設(shè)置于所述矩形形狀的外周,并且與所述矩形形狀的至少三個不同的邊直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
所述通路構(gòu)造具有一個所述開口部、和設(shè)置于絕緣基板上并且位于所述通路構(gòu)造內(nèi)的所述金屬薄膜;以及
所述金屬薄膜的腐蝕區(qū)域在從所述開口部侵入到所述通路構(gòu)造中的所述腐蝕性物質(zhì)的擴散方向上擴展;以及
所述用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置被配置為測定根據(jù)所述腐蝕區(qū)域的擴展而增大的電阻值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
所述非露出部與所述露出部電連接;以及
所述用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置被配置為通過將所述露出部的電阻值以及所述非露出部的電阻值相加來測定電阻值之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
根據(jù)所述腐蝕區(qū)域的擴展,所述非露出部的電阻值增大。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
所述非露出部包括通過涂覆所述金屬薄膜的一部分而形成的涂覆部分,使得所述涂覆部分在空氣中不露出。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
所述金屬薄膜具有:由空氣中的所述腐蝕性物質(zhì)而腐蝕的第一金屬薄膜,以及不會由空氣中的所述腐蝕性物質(zhì)而腐蝕的第二金屬薄膜,其中,
所述用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置被配置為通過將所述第一金屬薄膜的電阻值以及所述第二金屬薄膜的電阻值相加來測定電阻值之和。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
根據(jù)所述腐蝕區(qū)域的擴展,所述第二金屬薄膜的電阻值增大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
所述通路構(gòu)造具有:所述至少一個開口部,以及包括第一金屬薄膜和第二金屬薄膜的所述金屬薄膜,
所述第二金屬薄膜不會由空氣中的所述腐蝕性物質(zhì)而腐蝕,形成包括一列或多列的之字形,設(shè)置于絕緣基板上,并且位于所述通路構(gòu)造內(nèi),以及
所述第一金屬薄膜被附設(shè)到所述第二金屬薄膜上;以及
所述用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置被配置為測定所述第一金屬薄膜以及所述第二金屬薄膜的電阻值,
所述電阻值根據(jù)從所述通路構(gòu)造的開口部侵入的所述腐蝕性物質(zhì)所致的所述第一金屬薄膜的腐蝕區(qū)域的擴展而變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
所述第二金屬薄膜的材料從鈦、鉻、金、鈀和銀鈀合金中的至少一個中選擇。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中的任一項所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
所述金屬薄膜的材料從鈦、鉻、金、鈀和銀鈀合金中的至少一個中選擇。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或8所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
使用透明基板作為所述絕緣基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于監(jiān)控腐蝕環(huán)境的裝置,其中,
在所述第一金屬薄膜中,在所述腐蝕性物質(zhì)擴散到的所述第一金屬薄膜的縱向上形成有狹縫。
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