[發明專利]一種REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法

在審

• 申請號: 201510246415.1
• 申請日: 2015-05-14
• 公開（公告）號: CN104790038A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: 樊文碩;李昊辰;姚忻;相輝;崔祥祥;郭林山;汪浩
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C30B29/22
• 分類號: C30B29/22;C30B11/14
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 梁海蓮;許亦琳

1.一種REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟一，制備RE123相的前驅粉末；

步驟二，制備鑲嵌式籽晶的前驅體：將所述RE123相的前驅粉末和其他摻雜物質混合后放入模具內，然后將籽晶嵌入所述模具內混合粉末的上表層中央區域，壓制而成圓柱形的前驅體；其中，所述其他摻雜物質包括Fe₂O₃和CeO₂；所述CeO₂的質量為所述RE123質量的1％，所述Fe₂O₃的摩爾數為所述RE123摩爾數的3％；

步驟三，將所述鑲嵌式籽晶的前驅體置于生長爐中進行熔融織構生長工藝，獲得REBCO準單晶。

2.根據權利要求1所述的REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法，其特征在于，所述步驟一包括：

按照RE:Ba:Cu＝1:2:3的摩爾比例將RE₂O₃、BaCO₃和CuO粉末混合，得到RE123相的前驅粉末；

將所述RE123相的前驅粉末研磨后，在空氣中900℃燒結48小時并重復3次此研磨、燒結過程。

3.根據權利要求1所述的REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法，其特征在于：所述籽晶為NdBCO/YBCO/MgO薄膜籽晶。

4.根據權利要求1所述的REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法，其特征在于：所述鑲嵌式籽晶是指在壓制過程中，將所述籽晶鑲嵌在所述前驅體的中央區域的內部，且所述籽晶的誘導生長面與所述圓柱形的前驅體的圓形表面平行。

5.根據權利要求1所述的REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法，其特征在于：所述籽晶的尺寸為2mm×2mm。

6.根據權利要求1所述的REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法，其特征在于：所述熔融織構生長工藝包括以下步驟：

使所述生長爐內的溫度在第一時間內升至第一溫度，保溫2小時；

使所述生長爐內的溫度在第二時間內升至第二溫度，保溫2小時；

使所述生長爐內的溫度在第三時間內降至第三溫度；

使所述生長爐內的溫度在第四時間內降至第四溫度；

最后淬火，獲得REBCO準單晶。

7.根據權利要求6所述的REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法，其特征在于：所述第一時間為4小時，所述第一溫度為950℃；所述第二時間為2小時，所述第二溫度高于所述REBCO準單晶的包晶反應溫度78～80℃；所述第三時間為30分鐘，所述第三溫度為所述包晶反應溫度；所述第四時間為15～45小時，所述第四溫度為低于所述包晶反應溫度3～9℃。

8.根據權利要求1所述的REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法，其特征在于：所述籽晶的非誘導生長面所在的平面與圓柱形的前驅體的圓形上表面所在的平面共面。

9.根據權利要求1所述的REBCO準單晶生長工藝中控制液體流失的方法，其特征在于，所述REBCO為YBCO。