[發明專利]在邊緣區域具有場電介質的半導體器件

有效

• 申請號: 201510244477.9
• 申請日: 2015-05-14
• 公開（公告）號: CN105185821B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: S.加梅里特;F.希爾勒;W.彥切爾;W.M.斯耶德;J.韋耶斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;胡莉莉

1.一種半導體器件，包括：

半導體本體，其包括布置在有源區域中且不在有源區域與所述半導體本體的側表面之間的邊緣區域中的晶體管單元；

場電介質，其鄰接所述半導體本體的第一表面并且在所述邊緣區域中將連接到所述晶體管單元的柵極電極的導電結構與所述半導體本體相分離，所述場電介質包括從第一垂直延伸部到第二更大的垂直延伸部的過渡部；以及

所述晶體管單元的本體/陽極區的導電類型的且電連接到所述本體/陽極區中的至少一個的非可耗盡延伸區，其中，所述過渡部在所述非可耗盡延伸區的垂直突出部中，

其中所述非可耗盡延伸區圍繞所述有源區域并且包括具有恒定第一凈摻雜劑濃度的筆直的第一區段和第二區段，其中第二區段是靠近半導體本體的拐角的橫向彎曲的區段和/或在有源區域與柵極區域之間的區段，其中第一區段連接第二區段并且第二區段的第二凈摻雜劑濃度是第一凈摻雜劑濃度的至少兩倍高。

2.權利要求1所述的半導體器件，其中

所述非可耗盡延伸區電連接到金屬負載電極。

3.權利要求1所述的半導體器件，其中

所述非可耗盡延伸區包含大于2.5E12cm^-2的有效摻雜劑劑量。

4.權利要求1所述的半導體器件，還包括：

所述本體/陽極區的導電類型的可耗盡延伸區，其直接鄰接所述非可耗盡延伸區，并且布置在所述非可耗盡延伸區與所述側表面之間。

5.權利要求4所述的半導體器件，其中

所述可耗盡延伸區包含至多2.0E12cm^-2的有效摻雜劑劑量。

6.權利要求4所述的半導體器件，還包括：

在所述第一表面和所述可耗盡延伸區之間的且與所述可耗盡延伸區形成pn結的間隔區。

7.權利要求1所述的半導體器件，其中

所述導電結構是在柵極構造與所述晶體管單元的柵極電極之間的電連接的區段。

8.權利要求1所述的半導體器件，其中

所述非可耗盡延伸區直接鄰接所述晶體管單元中的至少一個的本體/陽極區。

9.權利要求1所述的半導體器件，其中

所述非可耗盡延伸區的垂直于所述第一表面的垂直延伸部超過所述晶體管單元的所述本體/陽極區的垂直延伸部。

10.權利要求1所述的半導體器件，還包括：

與由所述本體/陽極區的所述導電類型所給出的第二導電類型相反的第一導電類型的第一區；以及

所述第二導電類型的第二區，所述第一和第二區交替地布置在所述有源區域和所述邊緣區域中的半導體本體中，其中在所述有源區域中所述第二區直接鄰接于所述本體/陽極區，并且所述第一區與所述本體/陽極區形成pn結。

11.權利要求1所述的半導體器件，其中

所述非可耗盡延伸區中的雜質濃度在所述過渡部的起點與在到所述起點至少1μm的距離處的參考點之間不降低超過50%，在所述起點處所述過渡部的垂直延伸部開始從所述第一垂直延伸部增長。