[發明專利]硅片清洗劑

在審

• 申請號: 201510243436.8
• 申請日: 2015-05-13
• 公開（公告）號: CN104928059A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 袁峰
• 申請（專利權）人: 寧波高新區卓爾化工科技有限公司
• 主分類號: C11D1/835
• 分類號: C11D1/835;C11D3/60;C11D3/10;C11D3/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域：

本發明涉及一種清洗劑，特別是一種硅片清洗劑。

背景技術：

硅片在使用前外觀應呈銀灰色，不允許存在夾層，發黑，氧化，指紋和沾污的痕或雜質，因此，在高效單晶硅太陽能硅片制備工藝中，要想獲得高的光電轉化效率，必須要有表面清潔的硅晶片，表面金屬污染必須降低到有害值以下?，F階段硅片加工都采用多線切割機，多線切割機采用鋼絲帶動碳化硅磨料進行切割硅片，會造成硅片表面的有機物沾污、粒沾污以及金屬離子沾污，這些雜質的污染特別是金屬離子污染物如Cu、Fe、Na等，很容易從硅片表面擴散到內部形成深能級復合中心，從而影響非平衡少子壽命進而降低光電轉化效率。所以電池硅片在生產前一定要先清洗，以去除雜質。

硅片表面的污染物主要以原子、離子、分子或膜的形式，以物理或化學方法存在于硅片表面或硅片表面的氧化膜中，對硅片的清洗要求是既能去除各類雜質又不破壞硅片性能。目前對硅片清洗多采用水溶液清洗法，是因為水溶液清洗價廉而安全，對雜質和基體選擇性好，可將雜質清洗至非常低的水平。

硅片清洗技術主要有以下幾類，早期常用的是RCA清洗法，但由于RCA清洗使用的試劑成本高，清洗后硅片表面粗糙，且對環境和人體都有一定危害，不適合硅片的清洗。部分企業在RCA基礎上改良，方法一：稀釋或加入表面活性劑、螯合劑等提高對金屬和表面顆粒的去除效果；方法二：RCA清洗液結合兆聲清洗法和噴射法清洗拋光硅片，實驗結果表明該方法對于去除硅片表面的微小顆粒具有更高的效果。目前堿性清洗技術正逐漸取代RCA清洗技術成為硅片的主要清洗技術。

發明內容：

針對現有技術存在的上述不足，本發明所要解決的技術問題是提供一種硅片清洗劑。

本發明的技術問題，是通過下述技術方案得以實現的：

一種硅片清洗劑，由以下重量百分比的原料組成：氫氧化鉀0.5～3％、碳酸鈉1～3％、硅酸鈉2～3％、脂肪醇聚氧乙烯(7)醚3～6％、全氟烷基乙氧基醚醇1～3％、四甲基氫氧化銨2～5％、余量為去離子水。

一種硅片清洗劑，由以下重量百分比的原料組成：氫氧化鉀0.5～3％、碳酸鈉1～3％、硅酸鈉2～3％、絡合物0.2～1％、脂肪醇聚氧乙烯(7)醚3～6％、全氟烷基乙氧基醚醇1～3％、四甲基氫氧化銨2～5％、余量為去離子水。

所述絡合物為三聚氰胺磷酸絡合物和/或二乙烯三胺五乙酸鐵-鈉絡合物。優選地，絡合物為30-70重量份三聚氰胺磷酸絡合物和30-70重量份二乙烯三胺五乙酸鐵-鈉絡合物混合而成。

將各原料攪拌混合均勻，即可制得該硅片清洗劑。

本發明的硅片清洗劑，具有良好的去污、清洗性能，無刺激性氣味，能夠在硅片表面形成保護膜，抗氧化，使用周期長，能有效去除表面油脂及硅片內部金屬雜質和粘附在硅片表面的塵埃和其它顆粒，對硅片腐蝕小。

具體實施方式：

下面實施例是對本發明的進一步說明，而不是限制本發明的范圍。在本發明中，如無特別說明，各原料均以有效物含量為100％計。

以下實施例和對比例中，原料介紹：三聚氰胺磷酸絡合物，CAS號：41583-09-9。二乙烯三胺五乙酸鐵-鈉絡合物，CAS號：12389-75-2。脂肪醇聚氧乙烯(7)醚，CAS號：68131-39-5，選用邢臺藍星助劑廠生產的AEO-7。全氟烷基乙氧基醚醇，選用全氟烷基乙氧基醚醇非離子氟表面活性劑S-201(哈爾濱雪佳氟硅化學有限公司生產的S-201)。四甲基氫氧化銨，CAS號：75-59-2。

實施例1-4

按表1對應數據，將各原料混合，加熱至50℃，攪拌混合均勻，冷卻至室溫，即可制得該硅片清洗劑。

表1：硅片清洗劑配方表??單位：公斤