[發(fā)明專利]一種異形半導體晶片、制備方法及晶片支承墊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510242648.4
• 申請日: 2015-05-13
• 公開（公告）號: CN105161397B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設計）人: 王元立;劉文森;劉繼斌;古燕;劉英偉
• 申請（專利權）人: 北京通美晶體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 王媛;鐘守期

1.一種制備異形半導體晶片的方法，該方法包括以下步驟：

(1)提供一種異形晶片原片；

(2)對晶片原片進行磨邊處理；

(3)對磨邊處理后的晶片進行表面研磨加工，其中晶片置于一個支承墊的內腔中，支承墊的內腔具有多個直邊，各直邊延長線相交形成異形形狀，內腔在各直邊延長線相交形成的各個角部處還具有外凸部分，各外凸部分與相鄰各直邊以過渡圓弧連接，所述晶片的形狀與內腔的形狀匹配；

(4)對異形支承墊內的晶片進行粗拋光，然后進行精拋光；

其中所述支承墊的肖氏硬度A為35-60；動態(tài)可壓縮性為60-90％，按JISK6505測得。

2.根據權利要求1的制備異形半導體晶片的方法，還包括對精拋光后的晶片進行表面清洗處理。

3.根據權利要求1的制備異形半導體晶片的方法，其中，步驟(1)中所述晶片材料為硅晶體、鍺晶體、IIIA-VA族半導體晶體、碳化硅晶體以及藍寶石晶體。

4.根據權利要求1-3之一的制備異形半導體晶片的方法，其中所述支承墊的肖氏硬度A為40-55。

5.根據權利要求1-3之一的制備異形半導體晶片的方法，其中所述支承墊的動態(tài)可壓縮性為70-90％，按JISK6505測得。

6.根據權利要求1的制備異形半導體晶片的方法，其中，在步驟(1)切割之后，還進行步驟(1’)：對步驟(1)得到的晶片進行邊緣倒角處理，使晶片邊緣獲得合適的圓弧或坡度。

7.根據權利要求1的制備異形半導體晶片的方法，其中在實施步驟(3)和(4)時，支承墊內腔的對角線與研磨、拋光設備的半徑重合，或內腔的至少一個直邊與輪半徑重合。

8.一種用于晶片加工的支承墊，具有至少一個異形內腔，所述內腔具有多個直邊，各直邊延長線相交形成異形形狀，內腔在各直邊延長線相交形成的各個角部處還具有外凸部分，各外凸部分與相鄰各直邊以過渡圓弧連接，其中所述支承墊的肖氏硬度A為35-60；動態(tài)可壓縮性為60-90％，按JISK6505測得。

9.根據權利要求8的用于晶片加工的支承墊，其中支承墊的厚度T為250-850微米。

10.根據權利要求8或9的用于晶片加工的支承墊，其肖氏硬度A為40-55；動態(tài)可壓縮性為70-90％，按JISK6505測得。

11.一種通過權利要求1-7之一的方法制備的異形半導體晶片，其表面平整度按以彎曲度計，整體平整度/晶片對角線長度的比值計為0.025-0.075μm/mm。

12.根據權利要求11的異形半導體晶片，其表面平整度按以彎曲度計，整體平整度/晶片對角線長度的比值計為0.03-0.065μm/mm。

13.根據權利要求11或12的異形半導體晶片，其表面微粗糙度Ra不高于0.5納米。