[發明專利]功率半導體裝置有效
| 申請號: | 201510242483.0 | 申請日: | 2015-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN105099252B | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發明(設計)人: | 英戈·博根;路德維希·哈格爾;賴納·魏斯 | 申請(專利權)人: | 賽米控電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K7/14 | 分類號: | H05K7/14;H05K7/20;H01L23/473 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 車文;張建濤 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 半導體 裝置 | ||
1.一種功率半導體裝置,所述功率半導體裝置帶有基底(20)和布置在所述基底(20)上的且與所述基底(20)連接的功率半導體元件(23),其中,所述功率半導體裝置(1)具有殼體部件(2),所述殼體部件具有帶有凹部(40)的殼體壁(10),其中,為了所述功率半導體裝置(1)的電接觸,所述功率半導體裝置(1)具有沿垂直于凹部(40)布置的X方向穿過所述殼體壁(10)的凹部(40)延伸的一體地構造的導電的第一負載連接元件(3),所述第一負載連接元件具有布置在所述殼體部件(2)外部的第一外部連接區段(3a)和布置在所述殼體部件內部的第一內部連接區段(3b),其中,在所述殼體壁(10)中以防旋轉且能沿X方向運動的方式布置有配設有內螺紋的沿X方向延伸的第一襯套(6),其中,所述第一外部連接區段(3a)與所述第一襯套(6)對齊地具有凹部(11),其中,所述第一負載連接元件(3)具有布置在所述殼體壁(10)的凹部(40)的區域中的第一保持元件(8),所述第一保持元件嵌接到所述殼體壁(10)的垂直于X方向延伸的第一槽(9)中。
2.按權利要求1所述的功率半導體裝置,其特征在于,在所述殼體壁(10)中以防旋轉且不能沿X方向運動的方式布置有配設有內螺紋的沿X方向延伸的第二襯套(7),其中,在所述殼體部件(2)外部,沒有所述功率半導體裝置(1)的負載連接元件的外部連接區段布置在所述第二襯套(7)之前,并且所述第二襯套(7)與功率半導體構件(23)電絕緣地布置。
3.按權利要求1所述的功率半導體裝置,其特征在于,為了所述功率半導體裝置(1)的電接觸,所述功率半導體裝置(1)具有沿X方向穿過所述殼體壁(10)的凹部(40)延伸的且與所述第一負載連接元件(3)電絕緣地布置的一體式構造的導電的第二負載連接元件(4),所述第二負載連接元件具有布置在所述殼體部件(2)外部的第二外部連接區段(4a)和布置在所述殼體部件(2)內部的第二內部連接區段(4b),其中,在所述殼體壁(10)中以防旋轉且不能沿X方向運動的方式布置有配設有內螺紋的沿X方向延伸的第二襯套(7),其中,所述第二外部連接區段(4a)與所述第二襯套(7)對齊地具有凹部(15)。
4.按權利要求3所述的功率半導體裝置,其特征在于,所述第一負載連接元件(3)具有第三保持元件(19),所述第三保持元件構造為所述第一負載連接元件(3)的布置在所述第一負載連接元件(3)的端部上的區段,其中,所述第三保持元件(19)布置在所述殼體壁(10)的垂直于X方向延伸的第三槽(53)中并且沿X方向在兩側具有與所述殼體壁(10)的限定第三槽的邊界的壁(51、52)的間距。
5.按權利要求1所述的功率半導體裝置,其特征在于,為了所述功率半導體裝置(1)的電接觸,所述功率半導體裝置(1)具有沿X方向穿過所述殼體壁(10)的凹部(40)延伸的且與所述第一負載連接元件(3)電絕緣地布置的一體式構造的導電的第二負載連接元件(4),所述第二負載連接元件具有布置在所述殼體部件(2)外部的第二外部連接區段(4a)和布置在所述殼體部件(2)內部的第二內部連接區段(4b),其中,在所述殼體壁(10)中以防旋轉且能沿X方向運動的方式布置有配設有內螺紋的沿X方向延伸的第二襯套(7),其中,所述第二外部連接區段(4a)與所述第二襯套(7)對齊地具有凹部(15),其中,所述第二負載連接元件(4)具有布置在所述殼體壁(10)的凹部(40)的區域中的第二保持元件(61),所述第二保持元件嵌接到所述殼體壁(10)的垂直于X方向延伸的第二槽(62)中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于賽米控電子股份有限公司,未經賽米控電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510242483.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:摩擦發電裝置及其制作方法
- 下一篇:磁場能量采集設備





