[發明專利]一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法有效
| 申請號: | 201510241054.1 | 申請日: | 2015-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN104835708B | 公開(公告)日: | 2017-01-25 |
| 發明(設計)人: | 趙波;王楠;姜國華 | 申請(專利權)人: | 江蘇師范大學 |
| 主分類號: | H01J29/04 | 分類號: | H01J29/04;H01J31/12;H01J1/304 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識產權代理有限公司31220 | 代理人: | 鄭立 |
| 地址: | 221116 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化 石墨 發射 平板 顯示 制備 方法 | ||
1.一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟:
步驟一,在襯底上涂覆光刻膠;
步驟二,對所述光刻膠進行圖形化,使所述襯底上暴露需要制備場發射點的區域;
步驟三,鍍覆金屬薄膜;
步驟四,在所述金屬薄膜上磁場輔助沉降鎳納米顆粒;
步驟五,在真空爐中對步驟四得到的樣品進行熱處理;
步驟六,在步驟五得到的樣品表面沉積氧化石墨烯;
步驟七,除去樣品上剩余的光刻膠,得到場發射點陣;
步驟八,對場發射點陣進行布線;
步驟九,在步驟八得到的樣品上方平行放置鍍有熒光粉的ITO玻璃片,樣品與所述玻璃片用絕緣材料隔開一定距離,制成場發射平板模塊;
步驟十,使用單片機和移位寄存器數組成外圍電路,結合所述場發射平板模塊實現屏顯。
2.根據權利要求1所述的一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,步驟一中,所述襯底選自玻璃、陶瓷、含有絕緣層的硅、含有絕緣層的鍺、聚乙烯、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯之中的一種;所述光刻膠選自雙疊氮系光刻膠、酚醛樹脂系光刻膠、紫外光刻膠、深紫外光刻膠、電子束膠、離子束膠、X射線膠之中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,步驟二中,所述圖形化的方法是:對光刻膠進行曝光、顯影、部分去膠。
4.根據權利要求1所述的一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,步驟三中,所述鍍覆選自以下方法中的任意一種:電子束蒸發法、磁控濺射法、化學氣相沉積法和化學鍍法;所述金屬選自W、Mo、Au、Ni、Ti、Cr、Pt或Pd之中的一種。
5.根據權利要求1所述的一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,步驟四中,所述磁場輔助沉降鎳納米顆粒步驟為:在鎳納米顆粒懸濁液四周或者底部放置一塊永磁鐵,或者將鎳納米顆粒懸濁液置于均勻磁場中,再將鍍有金屬薄膜的襯底垂直于磁場放置在鎳納米顆粒懸濁液之中。
6.根據權利要求1所述的一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,步驟五中,所述熱處理是指:在200℃~600℃的真空或者惰性氣體保護氣氛中加熱5~8小時。
7.根據權利要求1所述的一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,步驟七中,場發射點陣為:點與點之間間距為0.5~500微米,每個點的面積為0.1~10000平方微米。
8.根據權利要求1所述的一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,步驟八中,所述布線使用的方法是:利用套刻方法對樣品的每一個點進行布線。
9.根據權利要求1所述的一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,步驟九中,所述絕緣材料為橡膠、云母或聚四氟乙烯中的一種,所述絕緣材料厚度為50~500微米。
10.根據權利要求1所述的一種氧化石墨烯的場發射平板顯示儀的制備方法,其特征在于,步驟十中,使用的單片機芯片為:51單片機或者飛思卡爾單片機;使用的移位寄存器為以下種類中的一種:八位單向移位寄存器、八位雙向移位存器、四位單向移存器、四位雙向移位存器;實現屏顯是指:將要顯示圖像通過單片機組成的控制模塊進行處理,將發光點的位置信息傳遞給移位寄存器組成的驅動模塊,驅動模塊控制對應的點發光從而實現屏顯。
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