[發(fā)明專利]單粒子效應(yīng)檢測(cè)方法和系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510240840.X
• 申請(qǐng)日: 2015-05-12
• 公開（公告）號(hào): CN104934072B
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張戰(zhàn)剛;雷志鋒;岳龍;恩云飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 工業(yè)和信息化部電子第五研究所
• 主分類號(hào): G11C29/44
• 分類號(hào): G11C29/44
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 周清華

1.一種單粒子效應(yīng)檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：

讀取第一粒子束流輻照下的待測(cè)器件的各地址的存儲(chǔ)信息，生成第一讀信息，并對(duì)所述第一讀信息和第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，生成第一比信息，所述待測(cè)器件已上電和寫入所述第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)；

若根據(jù)所述第一比信息判定所述待測(cè)器件內(nèi)存在單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤，則讀取第二粒子束流輻照后的所述待測(cè)器件的各地址的存儲(chǔ)信息，生成第二讀信息，并對(duì)所述第二讀信息和第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，生成第二比信息，所述待測(cè)器件被第二粒子束流輻照前已斷電、上電和寫入所述第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)；

若根據(jù)所述第二比信息判斷出所述待測(cè)器件內(nèi)存在單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤，則判定所述待測(cè)器件內(nèi)的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤不是外圍電路瞬態(tài)脈沖引起的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤；

其中，若地址能夠進(jìn)行寫入修正，則所述待測(cè)器件內(nèi)存在單粒子翻轉(zhuǎn)，若不能進(jìn)行寫入修正，則所述待測(cè)器件內(nèi)存在單粒子硬錯(cuò)誤。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單粒子效應(yīng)檢測(cè)方法，其特征在于，判定所述待測(cè)器件內(nèi)的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤不是由外圍電路瞬態(tài)脈沖引起的步驟之后，還包括以下步驟：

讀取已依次進(jìn)行第三粒子束流輻照、斷電和上電后的所述待測(cè)器件的各地址的存儲(chǔ)信息，生成第三讀信息，并對(duì)所述第三讀信息和第三預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，生成第三比信息，所述待測(cè)器件被第三粒子束流輻照前已斷電、上電和寫入所述第三預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)；

若根據(jù)所述第三比信息判斷出所述待測(cè)器件內(nèi)存在單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤，則判定所述待測(cè)器件內(nèi)的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤不是外圍電路固定效應(yīng)引起的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單粒子效應(yīng)檢測(cè)方法，其特征在于，判定所述待測(cè)器件內(nèi)的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤不是外圍電路固定效應(yīng)引起的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤的步驟之后，還包括以下步驟：

讀取已依次進(jìn)行第四粒子束流輻照、上電后的所述待測(cè)器件的各地址的存儲(chǔ)信息，生成第四讀信息，并對(duì)所述第四讀信息和第四預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，生成第四比信息，所述待測(cè)器件被第四粒子束流輻照前已斷電、上電、寫入所述第四預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)和斷電；

若根據(jù)所述第四比信息判斷出所述待測(cè)器件內(nèi)存在單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤，則判定所述待測(cè)器件內(nèi)的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤是存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單粒子效應(yīng)檢測(cè)方法，其特征在于：

若根據(jù)所述第一比信息判定所述待測(cè)器件中存在單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤，則讀取再次斷電和上電后的所述待測(cè)器件的各地址的存儲(chǔ)信息，生成第五讀信息，并比較所述第五讀信息和所述第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)，生成第五比信息；

若根據(jù)所述第五比信息判斷出所述待測(cè)器件內(nèi)存在單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤，則判定所述待測(cè)器件內(nèi)的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤不是外圍電路固定效應(yīng)引起的單粒子翻轉(zhuǎn)或單粒子硬錯(cuò)誤。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的單粒子效應(yīng)檢測(cè)方法，其特征在于，讀取第二粒子束流輻照后的所述待測(cè)器件的各地址的存儲(chǔ)信息，生成第二讀信息的步驟之前，還包括以下步驟：

通過第一比信息判斷所述待測(cè)器件的任一地址的信息是否發(fā)生翻轉(zhuǎn)；

若發(fā)生翻轉(zhuǎn)，則判斷所述存儲(chǔ)信息翻轉(zhuǎn)是否為寫入操作能修正的翻轉(zhuǎn)，若是，則所述待測(cè)器件內(nèi)存在單粒子翻轉(zhuǎn)，若否，則所述測(cè)器件內(nèi)存在單粒子硬錯(cuò)誤。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單粒子效應(yīng)檢測(cè)方法，其特征在于，讀取第二粒子束流輻照后的所述待測(cè)器件的各地址的存儲(chǔ)信息，生成第二讀信息的步驟之前，還包括以下步驟：

對(duì)所述待測(cè)器件進(jìn)行電流檢測(cè)，生成所述待測(cè)器件的工作電流；

根據(jù)單粒子效應(yīng)判斷規(guī)則，通過所述工作電流、所述第一讀信息和所述第一比信息判斷所述待測(cè)器件中是否存在單粒子效應(yīng)。