[發明專利]晶閘管隨機存取內存

有效

• 申請號: 201510240836.3
• 申請日: 2015-05-13
• 公開（公告）號: CN105097808B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 卓榮發;陳學深;郭克文;D·P-C·岑
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L27/102
• 分類號: H01L27/102;H01L21/8229
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種記憶裝置，包括：

具有具第一極性類型的井區的襯底；以及

基于晶閘管的記憶單元，包含：

鄰近該井區具第二極性類型的至少一第一區，其中，具該第二極性類型的該第一區包含能帶工程建構區，

設置于該襯底上作為第二字線的柵極，

具該第一極性類型的至少一第一層，其設置成鄰近具該第二極性類型的該第一區且鄰近該柵極；以及

具該第二極性類型的至少一重摻雜第一層，其設置于具該第一極性類型的該第一層上且鄰近該柵極，其中至少具該第二極性類型的該重摻雜第一層與該柵極的側面自我對齊。

2.一種形成記憶裝置的方法，包含：

提供有具第一極性類型的井區的襯底；

形成基于晶閘管的記憶單元，包括：

形成鄰近該井區具第二極性類型的至少一第一區，其中，具該第二極性類型的該第一區包含能帶工程建構區，

形成柵極于該襯底上，其中該柵極作為第二字線，

形成具該第一極性類型的至少一第一層，其鄰近具該第二極性類型的該第一區且鄰近該柵極，以及

形成具該第二極性類型的至少一重摻雜第一層于具該第一極性類型的該第一層上且鄰近該柵極，其中至少具該第二極性類型的該重摻雜第一層與該柵極的側面自我對齊。

3.如權利要求2所述的方法，其中，該基于晶閘管的記憶單元包括每單元二位結構，以及其中：

形成該柵極包括：形成假性柵極；

形成鄰近該井區具該第二極性類型的該至少一第一區包括：形成鄰近該假性柵極的第一及第二側具該第二極性類型的第一及第二區于該井區中；

形成具該第一極性類型的該至少一第一層包括：形成具該第一極性類型的第一及第二升高層于鄰近該假性柵極的該第一及該第二側具該第二極性類型的該第一及該第二區上方；以及

形成具該第二極性類型的至少一重摻雜第一層包括：形成具該第二極性類型的第一及第二重摻雜層于具該第一極性類型的該第一及該第二升高層上。

4.如權利要求3所述的方法，其中，通過植入第二極性類型摻雜物于該井區中，以及其中該植入物自我對齊于該假性柵極，以形成具該第二極性類型的該第一及第二區于該井區中。

5.如權利要求3所述的方法，其中，具該第二極性類型的該第一及該第二區包括能帶工程建構區。

6.如權利要求5所述的方法，其中，具該第二極性類型的該第一及該第二區、具該第一極性類型的該第一及該第二升高層、以及具該第二極性類型的該第一及該第二重摻雜層用選擇性外延生長(SEG)工藝形成。

7.如權利要求3所述的方法，其中：

具該第二極性類型的該第一及該第二區用作為基極，同時該井區用作為各個位的陰極部的射極以及該井區也用作為第一字線；

具該第一極性類型的該第一及該第二升高層用作為基極，同時具該第二極性類型的該第一及該第二重摻雜層用作為各個位的陽極部的射極；以及

具該第二極性類型的該重摻雜第一層耦合至一第一位線，同時具該第二極性類型的該重摻雜第二層耦合至第二位線。

8.如權利要求3所述的方法，包括：

在形成具該第二極性類型的該第一及該第二重摻雜層后，移除該假性柵極；

形成溝槽，其延伸至該井區的一部分和具該第二極性類型的該第一及該第二區的一部分內；以及

形成高k金屬柵極結構于該溝槽內，其中該高k金屬柵極結構的一部分相對于水平平面垂直地朝該井區延伸，以相對于該水平平面而與具該第二極性類型的該第一及該第二區平行。

9.如權利要求2所述的方法，其中，該基于晶閘管的記憶單元包括每單元一位結構，以及其中：

該襯底包括隔離區；

形成鄰近該井區具該第二極性類型的該至少一第一區包括：形成具該第二極性類型的該第一區于該井區中以及延伸至該隔離區的一邊；

形成該柵極包括：形成假性柵極，其中該假性柵極部分重迭該隔離區；

具該第一極性類型的該第一層形成于具該第二極性類型的該第一區上；以及

具該第一極性類型的該第一層與具該第二極性類型的該重摻雜第一層鄰近該假性柵極的第一側地形成。