[發(fā)明專利]包括靜電放電電路的半導(dǎo)體器件及其操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510239430.3
• 申請(qǐng)日: 2015-05-12
• 公開（公告）號(hào): CN105097786B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高在赫;高民昌;金漢求
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/60
• 分類號(hào): H01L23/60;H01L21/66;H02H9/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;陳源

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一驅(qū)動(dòng)器，其被構(gòu)造為響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)信號(hào)將焊盤的電壓電平上拉至第一電源電壓；

第二驅(qū)動(dòng)器，其被構(gòu)造為響應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)將所述焊盤的電壓電平下拉至第二電源電壓；

開關(guān)保護(hù)電阻器，其被構(gòu)造為響應(yīng)于開關(guān)控制信號(hào)改變所述焊盤與所述第二驅(qū)動(dòng)器之間的電阻；以及

靜電放電檢測(cè)器，其被構(gòu)造為檢測(cè)所述第一電源電壓或所述第二電源電壓的電壓電平，并且產(chǎn)生所述開關(guān)控制信號(hào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述開關(guān)保護(hù)電阻器包括：

保護(hù)電阻器，其連接在所述焊盤與所述第二驅(qū)動(dòng)器之間；以及

開關(guān)晶體管，其與所述保護(hù)電阻器并聯(lián)連接，并且根據(jù)所述開關(guān)控制信號(hào)形成將所述保護(hù)電阻器旁路的電流通路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述開關(guān)晶體管包括NMOS晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述靜電放電檢測(cè)器被構(gòu)造為產(chǎn)生具有第一電壓電平的開關(guān)控制信號(hào)，所述第一電平電壓導(dǎo)致所述開關(guān)晶體管響應(yīng)于第一電源電壓高于參考電壓值而截止。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述靜電放電檢測(cè)器被構(gòu)造為產(chǎn)生具有第二電壓電平的開關(guān)控制信號(hào)，所述第二電平電壓導(dǎo)致開關(guān)晶體管響應(yīng)于第一電源電壓低于參考電壓值而導(dǎo)通。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述靜電放電檢測(cè)器包括高通濾波器，所述高通濾波器被構(gòu)造為響應(yīng)于所述第一電源電壓的交流成分產(chǎn)生所述開關(guān)控制信號(hào)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述靜電放電檢測(cè)器包括：

電阻器-電容器電路，其被構(gòu)造為允許所述第一電源電壓的交流成分通過；以及

NMOS晶體管，其被構(gòu)造為允許所述開關(guān)控制信號(hào)根據(jù)所述交流成分的電平而具有第一電壓電平和第二電壓電平之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述靜電放電檢測(cè)器包括低通濾波器，其被構(gòu)造為響應(yīng)于所述第一電源電壓的直流成分產(chǎn)生所述開關(guān)控制信號(hào)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述靜電放電檢測(cè)器包括：

電阻器-電容器電路，其被構(gòu)造為將所述第一電源電壓的交流成分延遲特定持續(xù)時(shí)間；以及

PMOS晶體管和變換器，它們被構(gòu)造為使具有導(dǎo)致所述開關(guān)晶體管截止所述特定持續(xù)時(shí)間的電壓電平的開關(guān)控制信號(hào)通過。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一驅(qū)動(dòng)器包括至少一個(gè)PMOS晶體管，其被構(gòu)造為響應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)將所述焊盤的電壓電平上拉至所述第一電源電壓，并且

所述第二驅(qū)動(dòng)器包括至少一個(gè)NMOS晶體管，其被構(gòu)造為響應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)將所述焊盤的電壓電平下拉至所述第二電源電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述開關(guān)保護(hù)電阻器包括：

保護(hù)電阻器，其連接在所述焊盤與由所述第一驅(qū)動(dòng)器的PMOS晶體管和所述第二驅(qū)動(dòng)器的NMOS晶體管共享的公共漏極之間；以及

開關(guān)晶體管，其與所述保護(hù)電阻器并聯(lián)連接，并且根據(jù)所述開關(guān)控制信號(hào)形成將所述保護(hù)電阻器旁路的電流通路。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述開關(guān)保護(hù)電阻器包括：

第一保護(hù)電阻器，其連接至所述焊盤；

第二保護(hù)電阻器，其連接在所述第一保護(hù)電阻器與所述第一驅(qū)動(dòng)器之間；以及

開關(guān)晶體管，其與所述第一保護(hù)電阻器并聯(lián)連接，并且根據(jù)所述開關(guān)控制信號(hào)形成將所述第一保護(hù)電阻器旁路的電流通路。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述開關(guān)保護(hù)電阻器被構(gòu)造為改變由所述開關(guān)控制信號(hào)調(diào)整的電阻特性。