[發(fā)明專(zhuān)利]采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510224511.6
• 申請(qǐng)日: 2015-05-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104952879B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張合靜;曾志遠(yuǎn);蘇智昱;李文輝;石龍強(qiáng);呂曉文;葛世民
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基板(1)、設(shè)于所述基板(1)上的底柵極(2)、覆蓋所述底柵極(2)與基板(1)的底柵絕緣層(3)、于所述底柵極(2)上方設(shè)于所述底柵極絕緣層(3)上的有源層(4)、設(shè)于所述有源層(4)與底柵極絕緣層(3)上的蝕刻阻擋層(5)、設(shè)于所述蝕刻阻擋層(5)上并分別與所述有源層(4)的兩端相接觸的源/漏極(6)、設(shè)于所述源/漏極(6)與蝕刻阻擋層(5)上的彩色濾光片(8)、及設(shè)于所述彩色濾光片(8)上并與所述底柵極(2)相接觸的頂柵極(9)；

所述彩色濾光片(8)同時(shí)作為鈍化層、及頂柵絕緣層。

2.如權(quán)利要求1所述的采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括夾設(shè)于所述源/漏極(6)、蝕刻阻擋層(5)與彩色濾光片(8)之間的無(wú)機(jī)鈍化層(7)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源/漏極(6)分別經(jīng)由貫通蝕刻阻擋層(5)的過(guò)孔與所述有源層(4)的兩端相接觸。

4.如權(quán)利要求1所述的采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述頂柵極(9)經(jīng)由貫通蝕刻阻擋層(5)及底柵極絕緣層(3)的過(guò)孔與所述底柵極(2)相接觸。

5.如權(quán)利要求2所述的采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述頂柵極(9)經(jīng)由貫通無(wú)機(jī)鈍化層(7)、蝕刻阻擋層(5)及底柵極絕緣層(3)的過(guò)孔與所述底柵極(2)相接觸。

6.如權(quán)利要求1或2所述的采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述頂柵極(9)為透明電極。

7.如權(quán)利要求6所述的采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明電極為ITO電極、IZO電極或薄層金屬電極。

8.如權(quán)利要求1或2所述的采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源層(4)的材料為非晶硅基半導(dǎo)體、多晶硅基半導(dǎo)體、氧化鋅基半導(dǎo)體中的一種。

9.如權(quán)利要求1或2所述的采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底柵極(2)與源/漏極(6)的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合，所述底柵極絕緣層(3)的材料為氮化硅、氧化硅、或二者的組合，所述蝕刻阻擋層(5)的材料為氧化鋁。

10.如權(quán)利要求2所述的采用COA技術(shù)的雙柵極TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述無(wú)機(jī)鈍化層(7)的材料為氮化硅、氧化硅、或二者的組合。