[發(fā)明專利]熱電模塊及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510219955.0 | 申請日: | 2015-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN105374927A | 公開(公告)日: | 2016-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李圣鎬;鄭在然;劉相龍;李榮洙;金石 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | H01L35/32 | 分類號: | H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光軍;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱電 模塊 及其 制造 方法 | ||
1.一種熱電模塊,包括:
下部熱電模塊,p型半導(dǎo)體元件和n型半導(dǎo)體元件在下部絕緣基板的上 部沿水平方向得到布置;
上部熱電模塊,相互電連接的p型半導(dǎo)體元件與n型半導(dǎo)體元件在上部 絕緣基板的下部沿水平方向得到布置;
接合部,用于將所述上部熱電模塊的p型半導(dǎo)體元件與所述下部熱電模 塊的p型半導(dǎo)體元件進(jìn)行接合,并將所述上部熱電模塊的n型半導(dǎo)體元件與 所述下部熱電模塊的n型半導(dǎo)體元件進(jìn)行接合。
2.如權(quán)利要求1所述的熱電模塊,其中,形成于所述上部絕緣基板與所 述下部絕緣基板之間的熱電半導(dǎo)體元件部的厚度實(shí)質(zhì)上為所述p型半導(dǎo)體元 件或所述n型半導(dǎo)體元件的厚度的2倍。
3.如權(quán)利要求1所述的熱電模塊,其中,還包括:
第一電極,形成于所述下部絕緣基板的上部,用于將電流施加到所述熱 電模塊或者引出由所述熱電模塊產(chǎn)生的電動勢;
第二電極,形成于所述上部絕緣基板的下部,用于使所述上部熱電模塊 的p型半導(dǎo)體元件與n型半導(dǎo)體元件相互電連接。
4.如權(quán)利要求1所述的熱電模塊,其中,所述接合部由焊料接合材料形 成,該焊料接合材料從由Sn、Sn-Ag、Sn-Ag-Bi、Sn-Cu以及Sn-Ag-Cu構(gòu)成 的組中選擇。
5.如權(quán)利要求1所述的熱電模塊,其中,所述下部熱電模塊以及所述上 部熱電模塊的p型半導(dǎo)體元件分別包含一個(gè)以上的p型半導(dǎo)體元件薄膜層, 所述下部熱電模塊以及所述上部熱電模塊的n型半導(dǎo)體元件分別包含一個(gè)以 上的n型半導(dǎo)體元件薄膜層。
6.如權(quán)利要求1所述的熱電模塊,其中,所述下部熱電模塊以及所述上 部熱電模塊的p型半導(dǎo)體元件分別包含一個(gè)以上的塊體型p型半導(dǎo)體元件, 所述下部熱電模塊以及所述上部熱電模塊的n型半導(dǎo)體元件分別包含一個(gè)以 上的塊體型n型半導(dǎo)體元件。
7.如權(quán)利要求1所述的熱電模塊,其中,還包括:
第一擴(kuò)散防止部,形成于所述下部熱電模塊的p型半導(dǎo)體元件與所述接 合部之間、以及所述下部熱電模塊的n型半導(dǎo)體元件與所述接合部之間;
第二擴(kuò)散防止部,形成于所述上部熱電模塊的p型半導(dǎo)體元件與所述接 合部之間、以及所述上部熱電模塊的n型半導(dǎo)體元件與所述接合部之間。
8.一種熱電模塊,包括:
下部熱電模塊,p型半導(dǎo)體元件與n型半導(dǎo)體元件對沿水平方向重復(fù)布 置于下部絕緣基板的上部,且所述p型半導(dǎo)體元件與n型半導(dǎo)體元件對中的 n型半導(dǎo)體元件電連接于相鄰的p型半導(dǎo)體元件與n型半導(dǎo)體元件對中的p 型半導(dǎo)體元件;
上部熱電模塊,相互電連接的p型半導(dǎo)體元件與n型半導(dǎo)體元件對沿水 平方向重復(fù)布置于上部絕緣基板的下部;以及
接合部,用于使所述上部熱電模塊的p型半導(dǎo)體元件分別與所述下部熱 電模塊的對應(yīng)的p型半導(dǎo)體元件接合,并使所述上部熱電模塊的n型半導(dǎo)體 元件分別與所述下部熱電模塊的對應(yīng)的n型半導(dǎo)體元件接合。
9.如權(quán)利要求8所述的熱電模塊,其中,形成于所述上部絕緣基板與所 述下部絕緣基板之間的熱電半導(dǎo)體元件部的厚度實(shí)質(zhì)上為所述p型半導(dǎo)體元 件或所述n型半導(dǎo)體元件的厚度的2倍。
10.如權(quán)利要求8所述的熱電模塊,其中,還包括:
第一電極部,形成于所述下部絕緣基板的上部,用于將電流施加到所述 熱電模塊或者引出由所述熱電模塊產(chǎn)生的電動勢;
第二電極部,形成于所述下部絕緣基板的上部,用于使所述下部熱電模 塊的p型半導(dǎo)體元件與n型半導(dǎo)體元件對中的n型半導(dǎo)體元件電連接于相鄰 的p型半導(dǎo)體元件與n型半導(dǎo)體元件對中的p型半導(dǎo)體元件;以及
第三電極部,形成于所述上部絕緣基板的下部,用于使所述上部熱電模 塊的每個(gè)p型半導(dǎo)體元件與n型半導(dǎo)體元件對中的p型半導(dǎo)體元件與n型半 導(dǎo)體元件相互電連接。
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H01L35-34 .專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
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