[發明專利]熱電模塊及其制造方法

在審

• 申請號: 201510219955.0
• 申請日: 2015-04-30
• 公開（公告）號: CN105374927A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發明（設計）人: 李圣鎬;鄭在然;劉相龍;李榮洙;金石
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L35/32
• 分類號: H01L35/32;H01L35/34
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金光軍;劉奕晴

1.一種熱電模塊，包括：

下部熱電模塊，p型半導體元件和n型半導體元件在下部絕緣基板的上 部沿水平方向得到布置；

上部熱電模塊，相互電連接的p型半導體元件與n型半導體元件在上部 絕緣基板的下部沿水平方向得到布置；

接合部，用于將所述上部熱電模塊的p型半導體元件與所述下部熱電模 塊的p型半導體元件進行接合，并將所述上部熱電模塊的n型半導體元件與 所述下部熱電模塊的n型半導體元件進行接合。

2.如權利要求1所述的熱電模塊，其中，形成于所述上部絕緣基板與所 述下部絕緣基板之間的熱電半導體元件部的厚度實質上為所述p型半導體元 件或所述n型半導體元件的厚度的2倍。

3.如權利要求1所述的熱電模塊，其中，還包括：

第一電極，形成于所述下部絕緣基板的上部，用于將電流施加到所述熱 電模塊或者引出由所述熱電模塊產生的電動勢；

第二電極，形成于所述上部絕緣基板的下部，用于使所述上部熱電模塊 的p型半導體元件與n型半導體元件相互電連接。

4.如權利要求1所述的熱電模塊，其中，所述接合部由焊料接合材料形 成，該焊料接合材料從由Sn、Sn-Ag、Sn-Ag-Bi、Sn-Cu以及Sn-Ag-Cu構成 的組中選擇。

5.如權利要求1所述的熱電模塊，其中，所述下部熱電模塊以及所述上 部熱電模塊的p型半導體元件分別包含一個以上的p型半導體元件薄膜層， 所述下部熱電模塊以及所述上部熱電模塊的n型半導體元件分別包含一個以 上的n型半導體元件薄膜層。

6.如權利要求1所述的熱電模塊，其中，所述下部熱電模塊以及所述上 部熱電模塊的p型半導體元件分別包含一個以上的塊體型p型半導體元件， 所述下部熱電模塊以及所述上部熱電模塊的n型半導體元件分別包含一個以 上的塊體型n型半導體元件。

7.如權利要求1所述的熱電模塊，其中，還包括：

第一擴散防止部，形成于所述下部熱電模塊的p型半導體元件與所述接 合部之間、以及所述下部熱電模塊的n型半導體元件與所述接合部之間；

第二擴散防止部，形成于所述上部熱電模塊的p型半導體元件與所述接 合部之間、以及所述上部熱電模塊的n型半導體元件與所述接合部之間。

8.一種熱電模塊，包括：

下部熱電模塊，p型半導體元件與n型半導體元件對沿水平方向重復布 置于下部絕緣基板的上部，且所述p型半導體元件與n型半導體元件對中的 n型半導體元件電連接于相鄰的p型半導體元件與n型半導體元件對中的p 型半導體元件；

上部熱電模塊，相互電連接的p型半導體元件與n型半導體元件對沿水 平方向重復布置于上部絕緣基板的下部；以及

接合部，用于使所述上部熱電模塊的p型半導體元件分別與所述下部熱 電模塊的對應的p型半導體元件接合，并使所述上部熱電模塊的n型半導體 元件分別與所述下部熱電模塊的對應的n型半導體元件接合。

9.如權利要求8所述的熱電模塊，其中，形成于所述上部絕緣基板與所 述下部絕緣基板之間的熱電半導體元件部的厚度實質上為所述p型半導體元 件或所述n型半導體元件的厚度的2倍。

10.如權利要求8所述的熱電模塊，其中，還包括：

第一電極部，形成于所述下部絕緣基板的上部，用于將電流施加到所述 熱電模塊或者引出由所述熱電模塊產生的電動勢；

第二電極部，形成于所述下部絕緣基板的上部，用于使所述下部熱電模 塊的p型半導體元件與n型半導體元件對中的n型半導體元件電連接于相鄰 的p型半導體元件與n型半導體元件對中的p型半導體元件；以及

第三電極部，形成于所述上部絕緣基板的下部，用于使所述上部熱電模 塊的每個p型半導體元件與n型半導體元件對中的p型半導體元件與n型半 導體元件相互電連接。