[發明專利]一種核殼量子點材料及其制備方法有效
| 申請號: | 201510219791.1 | 申請日: | 2015-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN104910918A | 公開(公告)日: | 2015-09-16 |
| 發明(設計)人: | 李彥沛;曲勝春;劉孔;盧樹弟;寇艷蕾;池丹;岳世忠;王占國 | 申請(專利權)人: | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號: | C09K11/88 | 分類號: | C09K11/88;C09K11/56;C09K11/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 量子 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種核殼量子點材料,其特征在于,包括:
一核層材料;
包覆在所述核層材料上的第一殼層材料;
包覆在所述殼層材料上的一層或多層第二殼層材料;
其中,所述第一殼層材料的帶隙寬度相比于所述核層材料和所述第二殼層材料均要更窄。
2.根據權利要求1所述的核殼量子點材料,其中所述核層材料為CdS、ZnS或CdxZn1-xS。
3.根據權利要求1所述的核殼量子點材料,包覆在所述核層材料上的殼層材料為不同厚度的CdSe。
4.根據權利要求1所述的核殼量子點材料,包覆在所述殼層材料上的一層或多層殼層材料為CdS、ZnS或CdZnSeS/ZnS。
5.一種核殼量子點材料的合成方法,包括以下步驟:
合成作為核的CdS量子點;
進行殼層材料的包覆;
對合成的所述核殼材料進行分離提純。
6.根據權利要求5所述的核殼量子點材料的合成方法,其中所述合成反應在氮氣氛圍中進行。
7.根據權利要求5所述的核殼量子點材料的合成方法,其中所述合成作為核的CdS量子點的步驟包括:
A、將硫溶于TOP溶液中作為儲備液;
B、將氧化鎘和乙酸鋅溶于油酸中,加熱至150℃;
C、待反應物完全溶解后,升溫至230℃,加入硫的TOP溶液,反應5-10min。
8.根據權利要求5所述的核殼量子點材料的合成方法,其中所述進行殼層材料的包覆的步驟包括:
A、將一定比例的硒和硫溶于TOP中;
B、將硒硫的混合溶液迅速注入到合成作為核的CdS量子點得到的反應液中,在230℃的條件下繼續反應30min。
9.根據權利要求5所述的核殼量子點材料的合成方法,其中所述對合成的所述核殼材料進行分離提純的步驟包括:
將反應后所得的量子點溶液加入沉淀劑,產生絮狀沉淀,使用離心機離心分離,將得到的沉淀物烘干并研磨成粉。
10.根據權利要求9所述的核殼量子點材料的合成方法,其中所述沉淀劑為乙醇、丙酮、或丙酮與氯仿的混合液。
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