[發明專利]一種用于相變存儲器的Ge?Sb?Te?Se薄膜材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201510219504.7
• 申請日: 2015-04-30
• 公開（公告）號: CN104868053B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 龔麗萍;呂業剛;孫景陽;王東明;汪伊曼;沈祥;王國祥;戴世勛
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;C22C12/00
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙)33226
• 代理人: 何仲

1.一種用于相變存儲器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料的制備方法，其特征在于：采用Sb₂Se靶和Ge₂Sb₂Te₅合金靶兩靶磁控共濺射而成，具體包括以下步驟：

(1)在磁控濺射鍍膜系統中將Sb₂Se靶材和Ge₂Sb₂Te₅靶材分別安裝在磁控射頻濺射靶中，采用半導體為襯底；

(2)將磁控濺射鍍膜系統的濺射腔室進行抽真空處理直至室內真空度達到1.6×10^-4Pa，然后向濺射腔室內通入高純氬氣直至濺射腔室內氣壓達到濺射所需起輝氣壓0.3Pa；

(3)然后將Sb₂Se靶上的射頻電源功率控制為3-13W，將Ge₂Sb₂Te₅靶上的射頻電源功率控制為5-50W，濺射時間為10分鐘至60分鐘，沉積得到厚度為161-330nm的薄膜材料，即為Ge-Sb-Te-Se薄膜材料，其化學結構式為(Sb₂Se)_x(Ge₂Sb₂Te₅)_y，其中Sb₂Se整體的摩爾百分含量為5％≤x％≤84％，Ge₂Sb₂Te₅整體的摩爾百分含量為16％≤y％≤95％，x+y＝100。

2.根據權利要求1所述的一種用于相變存儲器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料的化學結構式為(Sb₂Se)₄₄(Ge₂Sb₂Te₅)₅₆。

3.根據權利要求1所述的一種用于相變存儲器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料的化學結構式為(Sb₂Se)₈₄(Ge₂Sb₂Te₅)₁₆。