[發明專利]一種基于電路仿真的單粒子翻轉效應判別方法

有效

• 申請號: 201510217843.1
• 申請日: 2015-04-30
• 公開（公告）號: CN104881519B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發明（設計）人: 王穎;蔡震波;張慶祥;趙小宇
• 申請（專利權）人: 北京空間飛行器總體設計部
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 中國航天科技專利中心11009
• 代理人: 陳鵬

1.一種基于電路仿真的單粒子翻轉效應判別方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)確定入射的重離子類型，并計算重離子入射到SRAM器件上產生的電子-空穴對濃度N；其中：

N=LEF3.6,LET=1ρdEdx]]>

LET為重離子的線性能量傳輸系數，ρ為SRAM器件的襯底材料密度，為重離子最終剩余能量對應的阻止本領；

(2)建立入射到SRAM器件后產生的瞬態電流源模型，

I(t)＝I₀·sec(θ)[exp(-αt)-exp(-βt)]

I0=-qμ‾NE0,α=kϵ0qμ‾ND,β=1011s-1]]>

其中：I₀是近似的最大電流，θ指重離子入射傾角，t為時間變量，μ_n為電子遷移率，μ_p為空穴遷移率，E₀為電離能，k為玻爾茲曼常數，q為電子電量，ε₀＝8.85×10^-14F/cm，N_D為施主雜質的密度；

(3)將步驟(2)建立的瞬態電流源模型等效成標準脈沖電流源；所述的標準脈沖電流源的參數包括電流最小值I₁，電流最大值I₂，脈沖寬度P_W，上升時間T_R，下降時間T_F，周期PER；

(4)根據SRAM器件工藝參數，選擇寄生晶體管和寄生電阻，建立等效寄生電路，然后在等效寄生電路中至少一個寄生晶體管的PN結上并聯一個標準脈沖電流源，PN結的位置根據需要仿真的SRAM器件可能發生單粒子翻轉的位置確定；

(5)獲取SRAM器件工作正常時所述等效寄生電路的輸出波形作為標準波形，將疊加標準脈沖電流源后所述等效寄生電路的輸出波形作為實際波形，如果實際波形與標準波形一致，則判定SRAM器件未發生單粒子翻轉，如果實際波形與標準波形不一致，則判定SRAM器件發生了單粒子翻轉。